sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по фотонике
Урик Винсент Дж.-мл., МакКинни Джейсон Д., Вилльямс Кейт Дж.
Другие серии книг:
Мир фотоники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "ионная имплантация"
Электроника НТБ #5/2020
М. Макушин, В. Мартынов
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ: ПРОБЛЕМЫ РАЗВИТИЯ. Часть 2
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.196.5.120.127 Рассматриваются некоторые аспекты развития технологий микро­электроники: ALD- и ХОПФ процессы, ионная имплантация, EUV литография, совершенствование методик тестирования.
Наноиндустрия #6/2018
Г.Баранов, А.Итальянцев, Н.Герасименко, А.Селецкий
Физические особенности формирования локальных субмикронных ионно-имплантированных областей
Стремление производителей к уменьшению проектных норм сталкивается с трудностями при создании наноразмерных ионно-легированных зон методами ионной имплантации. Создание зон происходит в условиях сильных электрических и механических полей, связанных с присутствием маскирующего слоя. Выполнены численные оценки размерных факторов окна имплантации с учетом действия силовых полей при конструктивно-технологическом проектировании приборов кремниевой микроэлектроники. УДК 621.315.592.3; ВАК 05.27.01; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.6.426.433
Фотоника #2/2012
О.Лопатин, д.г.-м.н., А.Николаев, Р.Хайбуллин, к.ф.-м.н., В.Нуждин
Ионно-лучевая модификация колометрических свойств алмаза
Проведена ионно-лучевая обработка природных кристаллов алмаза легкими по массе ионами инертного химического элемента (гелия) с дозой облучения в диапазоне 0,2 · 1016–2,0 · 1017 ион/см2. В зависимости от режимов имплантации алмазы приобрели желтую и черную окраску.
Наноиндустрия #2/2011
Н.Шадская.
Как сделать полупроводниковое производство безопасным и эффективным
В микроэлектронике постоянно появляются новые идеи и технические решения. С каждым годом совершенствуется автоматизация производства, технология требует все более высокой точности. Основными этапами производства полупроводниковой продукции являются: вакуумное осаждение, экспонирование, травление, ионная имплантация и диффузия примесей. Во всех этих процессах используются специальные и гидридные газы, многие из которых – легковоспламеняющиеся, отравляющие и агрессивные. В статье рассматривается система газораспределения на производстве, обеспечивающая стабильную и высокоточную подачу газов потребителю без снижения уровня его чистоты.
Разработка: студия Green Art