sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по фотонике
Урик Винсент Дж.-мл., МакКинни Джейсон Д., Вилльямс Кейт Дж.
Другие серии книг:
Мир фотоники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "cmos technology"
Наноиндустрия #5/2023
А.А.Глушко, М.Р.Гусев, В.В.Макарчук
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305 Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматри­ваемого транзистора.
Электроника НТБ #2/2019
А. Сафонов
Матричные КМОП-фотоприемники: современное состояние и перспективы развития
КМОП-фотоприемники – наиболее динамично развивающийся сектор полупроводниковой индустрии. Основные области применения устройств – автомобильная промышленность, системы искусственного интеллекта и видеонаблюдения, смартфоны и т. д. Прогресс в технологии изготовления 3D фотоприемных устройств значительно повлиял на развитие технологии сборки всех типов электронных модулей. УДК 621.383 | ВАК 05.27.01 DOI: 10.22184/1992-4178.2019.183.2.140.154
Электроника НТБ #9/2018
Ю. Горячкин, А. Однолько
Моделирование интегральных магнитотранзисторов, формируемых в рамках КМОП-технологии
Рассмотрено моделирование двухколлекторных магнитотранзисторов с горизонтальным и вертикальным расположением коллекторов. Приведены параметры магнитотранзисторов, оптимальные для их применения в составе магниточувствительных микросхем. УДК 621.382:004.94 | ВАК 05.13.18 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.180.9.108.113
Наноиндустрия #5/2017
С.Удовиченко, А.Писарев, А.Бусыгин, О.Маевский
3D КМОП – мемристорная нанотехнология создания логической и запоминающей матриц нейропроцессора
Сверхбольшие многослойные логическая и запоминающая матрицы являются основными составными частями нейропроцессора – электронного устройства, которое обрабатывает информацию подобно головному мозгу. Представлена топология логической и запоминающей ячеек. Матрицы на основе этих ячеек можно изготавливать с помощью вакуумной нанотехнологии, в которой совмещены классические транзисторная КМОП (комплементарная металл – оксид – полупроводник) технология с технологией мемристорного кроссбара. УДК 621.382, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.26.34
Фотоника #2/2013
M. Фарьер, Т. Эщеркирхен, Г. Векслер, А. Мрожек
Широкоформатные кмоп-сенсоры с активными пикселами для цифровой рентгенографии
Существуют приборы, для которых малые размеры пиксела вовсе не являются необходимым условием успешной работы. КМОП-сенсоры с активным пикселом разработаны для устройств, связанных с регистрацией рентгеновского излучения, в том числе в медицине, в промышленном неразрушающем контроле и рентгеновской кристаллографии. Такие преимущества, как низкий шум считывания (менее 300 электронов), низкий темновой ток, гибкость в реализации КМОП-схемотехники и снижение производственных затрат, повышают конкурентоспособность этих сенсоров.
Разработка: студия Green Art