Фотоника - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-7296 (print)
ISSN 2686-844X (online)

Книги по фотонике

Статьи

Фотоника #1/2025

Фотоника #8/2024

Новости // все новости

04.04.2025

03.04.2025

События // все события

c 09.04.2025 до 11.04.2025

Тег "тонкопленочные транзисторы"

Фотоника #1/2025
Л. А. Мочалов, С. В. Телегин, Е. А. Слаповская
Получение тонких пленок IGZO с помощью метода PECVD и исследование их свойств

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.1.62.70 В настоящей работе впервые для получения тонких пленок состава InGaZnO (IGZO) различной стехиометрии, морфологии и фазового состава использовался метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Пленки синтезировались с помощью установки, подробно описанной нами в работах [1–5]. Исходными веществами являлись элементарные высокочистые In, Ga и Zn, газами-носителями – Ar и H2, а в качестве плазмообразующего газа использовали смесь (Ar-H2-O2). Осаждение проводили на подложки из покровного стекла. Методом энергодисперсионного рентгеновского анализа был определен макросоcтав образцов. Полученные образцы были также исследованы методами сканирующей электронной (СЭМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ) и оптической профилометрии. По измерениям эффекта Холла были определены электрические свойства полученных пленок: тип, подвижность и концентрация носителей.