Фотоника #7/2018
Г. А. Мустафаев, В. А. Панченко, А. Г. Мустафаев, Н. В. Черкесова
Оптические свойства гетероструктуры на основе полупроводников AlN / GaN
Современные технологии создания гетероструктур на основе твердых растворов полупроводниковых нитридов позволяют получать высокоэффективные светоизлучающие диоды. Нитриды алюминия и галлия, а также твердые растворы на их основе являются перспективными материалами для оптоэлектронных устройств фиолетовой области спектра. Проведено исследование оптических свойств многослойной гетероструктуры на основе широкозонных полупроводников AlN / GaN. Моделирование проводилось с использованием математического пакета программ MathCad. Полученные результаты позволяют формировать интегральные структуры, излучающие несколько длин волн, совокупность которых позволяет увеличить дифференциальную квантовую эффективность светодиода в ультрафиолетовой области спектра. Предложена структура источника излучения с длинами волны в окрестностях 278 и 317 нм. DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.7.680.683