Фотоника #5/2018
Н. В. Латухина, Д. А. Лизункова, Г. А. Рогожина, И. М. Жильцов, М. В. Степихова, В. И. Чепурнов
Многослойные наноструктуры на базе пористого кремния для оптоэлектроники
Проведена экспериментальная оценка возможности использовать структуры на основе пористого кремния для фотопреобразователей и светодиодов. Исследованы спектральные характеристики фоточувствительности структур с верхним слоем из пористого кремния и пористого карбида кремния (гетероструктуры nSiC / p-porSi), а также спектры фотолюминесценции структур с пористым кремнием, легированным эрбием (структуры porSi : Er). DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.508.513