Фотоника #5/2018
А. М. Григорьев
Лазерная рекристаллизация приповерхностного слоя кремния после операции ионной имплантации
Разработана установка для эффективной рекристаллизации нарушенного слоя поверхности кремниевой пластины после ионной имплантации для полупроводниковой индустрии. Установка реализует технологию лазерного отжига поверхностного слоя толщиной 1 мкм кремниевых пластин диаметром до 200 мм и применяется в технологическом процессе изготовления сильноточных IGBT-транзисторов. DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.498.500