Фотоника #5/2023
Д. В. Былков, Д. А. Полторацкий, В. С. Солдаткин, А. О. Лазарева, А. П. Шкарупо, Е. С. Щепеткин
СРАВНЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ОБЛУЧАТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ НА РОСТ И УРОЖАЙНОСТЬ НА ПРИМЕРЕ ОГУРЦОВ СОРТА МЕВА F1
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.5.408.418 Представлены результаты сравнительного анализа влияния отических характеристик облучательных приборов разной конструкции на рост и урожайность растений (огурцов сорта Мева F1). Оптимизирована конструкция светодиодных светильников и построена светотехническая модель для создания лабораторного стенда для исследования воздействия оптического излучения на процесс выращивания растений в условиях закрытого грунта. Изготовлены экспериментальные образцы облучательных приборов на основе светодиодов, которые обеспечивает продуктивность растений при меньшем росте стебля.
Фотоника #5/2020
В. Н. Зеленков, В. В. Латушкин, М. И. Иванова, А. А. Лапин, В. В. Карпачев, А. А. Кособрюхов, П. А. Верник, С. В. Гаврилов
Влияние импульсного освещения на прорастание семян некоторых овощных, масличных и лекарственных растений
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2020.14.5.442.460 Представлены результаты комплексного исследования влияния импульсного светового облучения на прорастание семян, рост и урожайность микрозелени растений. Объекты исследования – 8 овощных, лекарственных и масличных растительных культур. Выдвинуто положение о необходимости разработки дифференцированных режимов светового облучения растений (в частности, периода следования и длительности импульсов). Установлено, что влияние импульсного облучения в значительной степени зависит от генетических особенностей объектов. Обнаружены наиболее благоприятные и худшие режимы облучения по сравнению с темновым проращиванием для повышения урожайности растений. Параметры флуоресценции хлорофилла различаются при облучении импульсным светом в секундном и миллисекундном диапазонах. Анализ суммарной антиоксидантной активности (САОА) зеленой массы (микрозелени) также показал существенные отличия в зависимости от генетической природы растения.
Фотоника #2/2019
Н. Ю. Малькова, В. С. Лугиня
Проблемы технического регулирования в области фотоники
Статья посвящена проблеме технического регулирования в области лазерной и светодиодной техники. Рассмотрены существующие документы в области стандартизации лазерной безопасности. Приведены противоречия существующих схем классификации лазерных изделий по классу опасности. На основе анализа результатов исследований отдельных светодиодов показана необходимость проведения дополнительных исследований светодиодов, а также включения в нормативную базу требований не только к лазерным изделиям, но и к светодиодам. Даны предложения по формированию Федеральной целевой программы и по проведению исследований в рамках такой программы. DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2019.13.2.208.213
Фотоника #2/2015
В. Кондратенко, Ю. Сакуненко
Инновационные подходы к охлаждению высокомощныж светодиодных кластеров
В большинстве современных светодиодных конструкций реализована компоновка по правилу "кристалл: спереди стекло, сзади радиатор". Такая компоновка себя полностью оправдывала для предыдущего поколения маломощных светодиодов. Для современных мощных светодиодных кластеров такого подхода к охлаждению оказалось явно недостаточно. Проблема отвода избыточного тепла от LED-кристалла становится критически важной.
Электроника НТБ #4/2014
Конференция "Светодиоды: Чипы, Продукция, Материалы, Оборудование"
15–17 апреля 2014 года в Москве, в "Крокус Экспо" cостоялась 17-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих "ЭкспоЭлектроника". Традиционно в ее рамках состоялась Международная выставка технологий материалов и светодиодных микросхем, а также оборудования для их производства LEDTechExpo и 3-я Международная конференция "Светодиоды: чипы, продукция, материалы, оборудование".
Электроника НТБ #8/2011
И.Романова
Мощные сверхъяркие светодиоды компании CREE на российском рынке
Компания Cree Inc. была основана в 1987 году в штате Северная Каролина (США). Основным направлением деятельности компании была и остается разработка и производство карбида кремния (SiC) для полупроводниковых приборов. В начале 1990-х годов Cree начала интенсивные исследования в области светоизлучающих структур нитрида галлия (GaN) и твердых растворов на его основе на подложках из SiC. Благодаря уникальным технологиям производства SiC продукция Cree отличаются высокими надежностью и электрическими характеристиками, что делает возможным ее применение как в бытовой и промышленной, так и в военной и космической аппаратуре.