Наноиндустрия #7/2013
Th.Dieingv
Конфокальная рамановская 3D-визуализация высокого разрешения нитридов III группы
Требования к надежности электронных компонентов высоки, потому важно получение детальных сведений о свойствах кристаллических структур полупроводниковых материалов. Обычно для определения толщины пленок, параметров кристаллической решетки и испытаний деформированных состояний слоистых структур применяется рентгеновская дифракция, а для исследования поверхностей и дефектов конструкции, позволяющих установить хронологию роста кристаллов, – растровая электронная микроскопия. В статье представлены результаты исследований методом конфокальной рамановской 3D-визуализации, который позволяет выявлять деформацию и изменения в структуре кристаллической решетки.
Аналитика #5/2013
К. Понкратов
Исследование полупроводниковых материалов методом конфокальной рамановской микроскопии
Компания Renishaw (Великобритания) – мировой лидер в области промышленной метрологии, контроля перемещений, спектроскопии и прецизионной обработки. Конфокальный рамановский микроскоп inVia, выпускаемый компанией, объединяет в себе все новейшие технологии в полном соответствии с девизом компании – Apply Innovation. В статье приводятся примеры использования микроскопа для исследований качества пластин полупроводников.
Фотоника #6/2011
Г.Фишер
Визуализация химического картирования: конфокальная микроскопия комбинационного рассеяния
В статье продемонстрирована возможность получения изображения химического состава живых человеческих клеток, бактерий и лекарственных покрытий с помощью неразрушающей конфокальной рамановской микроскопии. Приведено подробное описание этой технологии и рассмотрены возможности ее применения.