Тег "photonic integrated circuits"
Фотоника #7/2023 А. А. Шейнбергер, М. В. Степаненко, Ю. С. Жидик, С. П. Иваничко, А. В. Майкова Исследование систем вывода излучения лазерного диода в одномодовое оптическое волокно
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.7.526.538 Предложена система вывода оптического излучения лазерного диода на основе дискретной сферической линзы и волоконной сферической линзы. Определена чувствительность к отклонению элементов от оптимального положения для следующих систем вывода оптического излучения лазерного диода: лазерный диод – сколотое оптоволокно, лазерный диод – коническое оптоволокно, лазерный диод – дискретная литая линза – сколотое оптоволокно, лазерный диод – дискретная сферическая линза – волоконная сферическая линза. Даны рекомендации по применению данных систем в корпусировании радиофотонных модулей, включающих фотонные интегральные схемы произведенные по InP-технологии.
Фотоника #2/2023 А. В. Наумов, В. В. Старцев Германий как материал фотоники – от линз до бездислокационных подложек
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.114.132 В статье рассмотрен процесс развития технологии роста монокристаллов германия методом Чохральского, который позволил использовать свойства германия для применения в ИК-оптике и в детектирование гамма-излучения. Ожидается, что германий может вновь вернуться в оптоэлектронику: последние разработки выращивания бездислокационных кристаллов показали, что германий является перспективным материалом для наноразмерных электронных устройств следующего поколения и интеграции оптических функций на логических схемах.
Фотоника #4/2022 А. А. Никитин, К. О. Воропаев, А. А. Ершов, И. А. Рябцев, А. В. Кондрашов, М. В. Парфенов, А. А. Семенов, А. В. Шамрай, Е. И. Теруков, А. В. Петров, А. Б. Устинов Исследование технологии осаждения пленок нитрида кремния для применения в фотонных интегральных схемах
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2022.16.4.296.304 Статья посвящена технологии изготовления оптических микроволноводов из нитрида кремния. Для изготовления волноведущих структур использовались кремниевые подложки с подслоем оксида кремния. На поверхности оксида кремния наносились пленки нитрида кремния методами плазмохимического газофазного осаждения и газофазного осаждения при пониженном давлении. Толщины пленок нитрида кремния изменялась в пределах от 710 до 730 нм в зависимости от технологии газофазного осаждения. Для создания волноведущих структур использовалась фотолитография и плазмохимическое травление. Ширина волноведущих структур варьировалась от 1 до 5 мкм с шагом 500 нм. На поверхности структур осаждался покрывной слой оксида кремния. В работе проведено исследование потерь на длине волны 1,55 мкм в волноведущих структурах, изготовленных обоими методами газофазного осаждения. Приведено сравнение методов осаждения, в результате чего показано, что разработанный метод плазмохимического газофазного осаждения обеспечивает существенное уменьшение потерь в структурах по сравнению с методом газофазного осаждения при пониженном давлении.
Фотоника #8/2017 П.О.Якушенков Фотонные интегральные схемы
В настоящее время интегральная кремниевая электроника достигла своего предела (10 ГГц) и давно настала пора переходить на фотонику. В статье с учетом достоинств фотонных интегральных схем рассматриваются уже существующие и перспективные схемы на их основе, а также некоторые варианты построения оптических транзисторов. DOI: 10.22184/1993-7296.2017.68.8.58.67
eng
