В России разработан план создания оборудования для производства современных чипов, которое будет дешевле и эффективнее, чем установки сегодняшнего монополиста рынка ASML.

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по фотонике
Урик Винсент Дж.-мл., МакКинни Джейсон Д., Вилльямс Кейт Дж.
Другие серии книг:
Мир фотоники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Новости
Дорожная карта создания российского EUV-литографа
Просмотры: 43
13.03.2025
В России разработан план создания оборудования для производства современных чипов, которое будет дешевле и эффективнее, чем установки сегодняшнего монополиста рынка ASML.
Эксперты компаний TSMC, Samsung и Intel подтверждают, что EUV-литография экономически эффективна. Однако надо учитывать, что эта эффективность обусловлена гигантским рынком чипов, занимаемым этими компаниями, по сути, монополистами. Кроме этих гигантов, а также американской Micron Technology и корейской SK Hynix Korea, входящих в 5-топ производителей чипов в мире, такое оборудование больше никто не приобрел и согласно прогнозам ASML на ближайшее будущее и не планирует. Авторы проекта считают, что сегодня нецелесообразно идти путем нидерландской компании, так как это требует высоких финансовых затрат. Поэтому Россия будет создавать EUV-установки с источником с длиной волны 11,2 нм, а не 13,5 нм. Ожидается, что этот подход снизит затраты на изготовление вакуумных элементов и систем, создание литографа и на стоимость эксплуатации. В российской установке планируется заменить оловянный лазерно-плазменный источник на ксеноновый. Это должно на порядки уменьшить загрязнения оптических элементов продуктами разлета частиц расплавленного олова.

Сравнительно крупное производство лазеров для литографии, которые будут использоваться для выпуска микросхем, начнется после 2026 года. Планируется сборка как минимум пяти таких лазеров в год. За разработку лазера отвечала ГК «Лассард». Тестовые испытания в составе литографа назначены на 2025 год. Проводить тестирование будут сотрудники «Зеленоградского нанотехнологического центра» (ЗНТЦ).

По материалам https://www.cnews.ru/news/
 
 Комментарии читателей
Разработка: студия Green Art