Пограничные оптоэлектронное и акустоэлектронное преобразования, рассмотренные в первой части этой статьи, достаточно широко используются в практике микросистемотехники, позволяя реализовать в серийных изделиях непревзойденные конкурентные преимущества по массогабаритным и функциональным характеристикам. Предлагаемый в этом номере журнала материал относится к магнитоэлектронному, микроэлектромеханическому и хемотронному преобразованиям. Особое внимание уделяется перспективам сенсорного рынка, который по оптимистическим оценкам к 2022 году может достигнуть 1 трлн.долл.

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по фотонике
Урик Винсент Дж.-мл., МакКинни Джейсон Д., Вилльямс Кейт Дж.
Другие серии книг:
Мир фотоники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Выпуск #5/2014
И.Лазер, Н.Иванов, В.Калинин
Физическая и химическая сенсорика микросистемотехники. Часть II
Просмотры: 3842
Пограничные оптоэлектронное и акустоэлектронное преобразования, рассмотренные в первой части этой статьи, достаточно широко используются в практике микросистемотехники, позволяя реализовать в серийных изделиях непревзойденные конкурентные преимущества по массогабаритным и функциональным характеристикам. Предлагаемый в этом номере журнала материал относится к магнитоэлектронному, микроэлектромеханическому и хемотронному преобразованиям. Особое внимание уделяется перспективам сенсорного рынка, который по оптимистическим оценкам к 2022 году может достигнуть 1 трлн.долл.
Магнитоэлектронное преобразование
Магнитоэлектронное преобразование основано на использовании эффекта Холла, сущность которого состоит в том что, на движущиеся в твердом теле под действием электрического поля Е носители заряда – электроны или дырки (обладающие зарядом q или –q соответственно) при наличии поперечного магнитного поля с индукцией В действует сила Лоренца F, определяемая уравнением:
,
где – символ, обозначающий логическую операцию "исключенное ИЛИ", ν – скорость дрейфа основных носителей.
В случае электронной проводимости твердого тела скорость дрейфа νn зависит от подвижности электронов μn и вычисляется по формуле:

νn = μn Е.
Тогда поток электронов c концентрацией n создает ток плотностью Jn, определяемой уравнением:
Jn = q μn n Е.
На носители тока, движущиеся в магнитном поле с индукцией В, действует сила Лоренца Fn, определяемая выражением:

Fn = q μn [ Е × В ].
Причем эта сила будет коллинеарна как к направлению электрического поля дрейфа носителей, так и к направлению внешнего магнитного поля В. Возникший градиент концентрации носителей увеличивается до тех пор, пока определяемое им (градиентом) поперечное электрическое поле Ех и соответствующее ему магнитное поле не будут уравновешены с внешним магнитным полем согласно уравнению:

q [ ν × В ] + q Ех = 0.
Созданное таким образом поперечное электрическое поле Ех называется полем Холла и для носителей-электронов представляется как:

Ех = −μn [ Е × В ].
Поле Холла может быть выражено как функция плотности тока носителей заряда уравнением:
.
Rx – это коэффициент Холла и в общем случае вне зависимости от типа носителей заряда для сильно легированного примесного полупроводника определяется в виде:
.
Здесь Dr – коэффициент квантового рассеивания носителей за счет теплового колебания кристаллической решетки и ионизированных примесей, он равен 1,18–1,93.
Если ввести конструктивный параметр ширины элемента Холла – d и интегрировать поле Холла по поперечной оси y относительно направления движения носителей заряда, то можно получить уравнение напряжения Холла Uх в виде:
.
Другой конструктивный параметр δ – толщина элемента Холла – позволяет определить напряжение Холла через ток основных носителей:
.
Магнитоэлектронное преобразование характеризуется чувствительностью Sxн, которая определяется формулой:
,
где l – длина элемента Холла.
Для собственных полупроводников, когда выполняется условие равенства концентраций электронов и дырок ( n = p ), коэффициент Холла имеет вид:
.

Чувствительность по току смещения преобразования Холла определяется формулой:
.
Таким образом, значение магнитной характеристики среды можно преобразовать в электронный сигнал для последующего управления параметрами среды.
Значительных успехов в области магнитной микроскопии достигла фирма SENIS GmbH, разработавшая трехмерный зонд Холла (рис.12), в котором первичный чувствительный элемент имеет размер 150×150 мкм [18].
Дальнейшее развитие эти работы получили в создании интегрального микрозонда Холла с размерами чувствительной зоны 2,4×2,4 мкм (рис.13), что позволило реализовать сканирующий магнитный микроскоп с шагом сканирования 5–10 мкм [19].
Микроэлектромеханическое преобразование
Успехи микроэлектронных технологий в области электронно-лучевой эпитаксии и прецизионной фотолитографии для создания электронных структур привели к идее использования этих технологий и для изготовления микромеханических устройств, технологически однородных с электронными элементами, реагирующими на электрические воздействия электронной системы, либо на некоторые, например, термические свойства среды. В связи с такой интегральной композицией микроэлектроники и микромеханики возник термин микроэлектромеханические системы (МЭМС). Основной целью в МЭМС-технике является создание актюаторов – устройств, преобразующих различные виды энергии в механические перемещения. Однако, при переходе от макромеханики (классической механики) к микромеханике возникает парадокс изменения отношений различных физических категорий, с помощью которых описывается поведение механических систем. Такие свойства микромеханических устройств были названы законами пропорциональной миниатюризации [20, 21], поскольку они существенно зависят от масштаба длины, определяемого размерами микромеханических объектов L. Соотношение некоторых важнейших физических категорий механики описывается безразмерными числами Коши, Вебера, Фруда, Фурье и Рейнольдса.
Число Коши (Са) отражает соотношение инерционных сил и сил упругости или, в более общем виде, отношение кинетической энергии к энергии сжатия среды и в макромеханике определяется формулой:
,
где: ρ – плотность среды,
ω – характеристическая частота колебаний,
Е – модуль упругости Юнга.
Для микромеханических систем число Коши Сам приобретает вид:
.
Поскольку Сам зависит от квадратов частоты и длины, МЭМС обладают очень высокими собственными частотами и улучшенными динамическими характеристиками, но более низким временем реакции на возмущение.
Число Вебера (We) отражает соотношение инерциальных сил и сил поверхностного натяжения в соответствии с формулой:
,
где ν – скорость, σs – поверхностное натяжение.
В соответствии с законом пропорциональной миниатюризации число Вебера Weм приобретает вид:
.
Следовательно, в микросистемах силы поверхностного натяжения преобладают над силами инерции.
Число Фруда (Fr) отражает соотношение силы инерции и силы гравитации согласно формуле:
,
где g – ускорение силы тяжести.
В связи с тем, что число Фруда обратно пропорционально характеристической длине механического объекта, то в микросистемах эффектом гравитации можно пренебречь.
Число Фурье (Fo)  определяет соотношение между скоростью изменения тепловых условий в окружающей среде и скоростью изменения поля температуры внутри рассматриваемого микромеханического элемента, что описывается выражением:
.
Здесь t – время, λ – коэффициент теплопроводности, ср – удельная теплоемкость, ρ – плотность. Причем последние параметры относятся к микромеханическому элементу. Поскольку число Фурье обратно пропорционально квадрату характеристического размера, тепловые процессы в микромеханических элементах имеют настолько большую скорость, что их возможно использовать в качестве быстродействующих актюаторов, управляемых параметром температуры среды.
Число Рейнольдса (Re) характеризует соотношение между инерционными силами и силами трения микромеханического элемента относительно окружающей среды или вязкостью среды, что определяется формулой:
,
где υ – кинематическая вязкость среды.
В связи с прямо пропорциональной зависимостью значения числа Рейнольдса от характеристического размера в микромеханических структурах возможен только ламинарный поток, а поэтому в уравнениях Навье-Стокса, описывающих движение вязкой жидкости, допустимо исключение нелинейной части, что приводит к упрощению их решения.
В соответствии с программой Союзного государства "Микросистемотехника" (включала разработку групповой технологии изготовления МЭМС-устройств) был создан микромеханический акселерометр (рис.14), имеющий диапазон измерения линейных ускорений 2g в полосе пропускания 100 Гц по одной оси измерения.
Такой датчик ускорения может применяться в системах навигации и управления подвижными объектами, например, автотранспортом, а также в устройствах обеспечения безопасности зданий и сооружений.
Хемотронное преобразование
Этот тип пограничного физического явления, как правило, используется для определения газовых характеристик окружающей среды на основе хемосорбционного взаимодействия газов среды с поверхностью (или объемом) полупроводникового материа­ла, приводящего к увеличению
(в случае газов восстановительного типа) или уменьшению (в случае газов окислительного типа) концентрации электронов в его зоне проводимости. Основным полупроводником с наиболее ярко выраженным хемосорбционным эффектом является двуокись олова SnO2 (проводимость n-типа). При изменении концентрации компонента газов в воздухе основным активизирующим элементом для работы пленки металлооксида SnO2 выступает кислород. Наличие сенсибилизирующего поверхность пленки газа O2 – обязательное условие устойчивой работы сенсора. Сенсор на основе SnO2 реагирует на изменение концентрации O2 в воздушной среде в диапазоне концентрации кислорода 0–20%.
Исследования электронного спинового резонанса на поверхности SnO2 [22] показали, что форма хемосорбции изменяется в последовательности О2– → O– → О2– с увеличением температуры, причем эти переходы имеют резкий характер.
Пленка SnOx – полупроводник n-типа, что объясняется многовалентностью катиона олова (Sn) и нестехиометричностью ее состава. А это означает, что пленка SnOx содержит 85% SnO2 и 15% SnO. Ион Sn2+ с двумя избыточными электронами действует в решетке Sn4+ как донор: Sn2+ → Sn4+ → 2e–.
Когда электроотрицательные молекулы, такие как кислород или NOX (NO или NO2), достигают поверхности полупроводника, а энергия, выделяющаяся при образовании отрицательного иона из нейтрального атома и электрона, больше работы выхода, они стремятся получить электроны из зоны проводимости полупроводника и, таким образом, хемосорбируются на поверхности. При дальнейшей адсорбции поверхность заряжается все в большей степени отрицательно, а в объеме полупровод­ника образуется положительно заряженный слой. В результате адсорбции акцепторных молекул О2 и NOx энергетические уровни смещаются.
Если запрещенная зона материала подложки значительно шире, чем у газочувствительного слоя, то подложка остается электрически инертной. Толщина области пространственного заряда L связана с концентрацией доноров N и высотой потенциального барьера US выражением:
,
где ε – диэлектрическая проницаемость полупроводника, q – заряд электрона.
Так как газочувствительная пленка SnOx обладает значительным сопротивлением (10 кОм–10 МОм) и малой (150–200 нм) толщиной, область пространственного заряда ионизированных доноров (газовых компонентов) распространяется на всю толщину пленки. Относительно полное обед­нение тонкого высокоомного полупроводника ведет к увеличению сопротивления, происходит более полное смещение цепи Sn → SnO → SnO2.
Кроме описанного выше механизма проводимости существует и другая усредненная проводимость, создаваемая более глубокими частично ионизированными донорами и обусловленная термической ионизацией хемосорбированных ионов целевого газа А. Практически нет необходимости в полном обеднении пленок SnOx, как предполагается зонной диаграммой. Газочувствительный слой сенсора полностью обеднен при обеднении границы между зернами, диаметр которых (в зависимости от технологии формирования) 30–80 нм. Сопротивление поликристаллических пленок, к которым относится и SnOx, определяется формулой [23]:
,
где neff – эффективная концентрация носителей заряда в отдельном зерне;
meff – эффективная подвижность в межзонной области;
g – геометрический фактор.
Хемосорбционный перенос заряда критически зависит от размера зерна (геометрический фактор g) и от числа свободных носителей, участвующих в проводимости и поверхностных реакциях. Для кристаллов малого размера объемная концентрация поверхностных акцепторов может быть сравнима и даже больше, чем объемная плотность свободных носителей внутри слоя. В этом случае подвижность meff в таких пленках не зависит от температуры и парциаль­ного давления, т.е. чем меньше размер зерна SnOx, тем это обстоятельство сильнее проявляется. Однако, компонент neff зависит от температуры.
Согласно описанию, представленному в последней работе, хемосорбция О2 на поверхности SnOx происходит в два этапа:
физическая сорбция: SA(A) + А(газ) → SA(A) + ∆Н1;
хемосорбция, сопровождающаяся захватом электрона: SA(A) + e → SA(A–) = ∆H2.
Здесь ∆Н1 – экзотермическая энергия образования физически сорбированной, но электрически нейтральной частицы газа; ∆Н2 – экзотермическая энергия образования хемосорбированных ионов газа А. При этом должно соблюдаться условие |∆H1| ≥ kTx, где Тх – температура рабочей зоны термосорбционнокаталического датчика на основе SnOx.
По условию Вейца на поверхности пленки располагается 1013 хемосорбированных поверхностных ионов [24]. Так как на 1 см2 поверхности приходится 1015–1016 поверхностных состояний, то на первых этапах реакции можно пренебречь взаимодействием между хемосорбированными ионами О–2. В этом случае можно воспользоваться уравнением Еловича [22]:
,
где [O2] – количество адсорбированного кислорода за время t; α, β, – константы.
Решение последнего уравнения может быть представлено в виде:
,
где t0 – константа, учитывающая начальные условия.
Так как каждая молекула кислорода (О2), сорбированная полупроводником, получает из объема полупроводника (SnOx) один электрон, то [е] = [O2], где
[е] – концентрация электронов.
Удельное сопротивление материала SnOx при фиксированной температуре пропорционально [О2]. Тогда сопротивление R(t) металлооксидного полупроводника SnOx определяется уравнением:
,
где А, В – константы, зависящие от температуры.
Как уже отмечалось выше, отсутствие кислорода в газовой смеси приводит к потере чувствительности вплоть до полной нечувствительности к повышенным концентрациям других компонентов воздуха. Следовательно, кислород играет определяющую роль в процессе термосорбционно­каталитической чувствительности SnOx.
Процесс взаимодействия сорбированного на SnOx кислорода [О–2] с газовыми компонентами воздушной смеси можно представить следующим образом. При взаимодействии условного газа В с кислородом [О–2] на первом этапе происходит реакция физической сорбции:

SR(R) + R(газ) → SR(R) + ∆H3,
где SR – вакантный уровень, ∆H3 – экзотермическая энергия физической сорбции. Необходимое условие физической сорбции – |∆H3| ≥ kТх. Затем следует взаимодействие физически сорбированной частицы R с SA(A):

SA(A–) + SR(R) → SA(B–) + SR(R) + ∆H4.
Здесь ∆H4 – экзотермическая энергия реакции; В– – хемосорбированные продукты реакции между А– и R, А– = О–2.
Далее происходит эмиссия электрона в зону проводимости, причем эмиссия будет термической, если уровень хемосорбированной частицы В лежит в запрещенной зоне: SA(B–) + ∆H5 → SА(В) + e–. При этом необходимо выполнение условия |∆H5| < H4. Именно этот этап является ответственным за модуляцию проводимости "SnOx–О–2" и одновременно локальной температуры рабочей зоны.
Последним четвертым этапом является термическая десорбция продукта реакции В: SA(B) + ∆Н6 → SA(B) + В(газ). Для прохождения последнего процесса необходимо выполнение условия |∆Н6| ≤ kТх, иначе реакционные состояния будут "отравлены" физически сорбированными продуктами реакции. Таким образом, суммарная реакция детектирования на SnOx представляется в виде:

R(газ) + SA(O–2) + ∆Н5 + ∆Н6 → e– + SA(B) · В(газ) + ∆Н3 + ∆Н4.
Из этого выражения следует, что в результате взаимодействия с молекулой активного газа генерируется один электрон на каждом реакционном состоянии.
Скорость генерации электронов на единицу площади определяется соотношением:
,
где: g – скорость генерации, пропорциональная плотности потока анализируемого компонента газа g = α · pR;
αs – коэффициент "прилипания";
pR – парциальное давление анализируемого компонента газа R.
Скорость r образования хемосорбированных частиц О2 определяется выражением:

r = β · n · SA (O–2),
где: SA(O–2) – концентрация физически сорбированных (нейтральных) сенсибилизирующих частиц;
βs – коэффициент поверхностной реакции.
При равновесии ; g = r и, полагая n = SA(O–2), получим:
.
Полная проводимость G термосорбционно-каталитического сенсора на основе SnOx – это комбинация фоновой проводимости, обусловленной концентрацией электронов, и проводимости электронов, освобожденных в результате реакции:
.
Динамические характеристики металлооксидных термосорбционно-каталитических сенсоров зависят от величины поверхностного барьера Шотки US. Чем она больше, тем меньше скорость электронного переноса и, следовательно, скорость реакции металлооксида. Аналогично поведение SnOx с такими газовыми компонентами, как галогениды (F2, Cl2, Br2, J2).
Взаимодействие термосорбционно-каталитического сенсора на основе SnOx с газом–восстановителем, например, с водородом (Н2) имеет ряд специфических особенностей. Возможны два типа реакции Н2 на поверхности SnOx:
диссоциация водорода после сорбции на поверхности и передача электронов в зону проводимости Н2 → 2Н+ + 2e–;
взаимодействие водорода с адсорбированным кислородом 2Н2 + O–2 → 2Н2О + 2e–.
Для первой реакции концентрация электронов [е] определяется формулой:
,
где [Н2] – концентрация водорода.
Для второй реакции – , при этом концентрация (О–2) должна быть достаточно велика и постоянна. Выделяющийся в результате поверхностных реакций водород может поглощаться в материалах в следующем количестве:
Sn – 5–12%;
Ni – 80–660%;
Zn – 80–2000%;
Pd – 860–23000%;
Cr – до 26000%.
Надо отметить, что при этом в SnOx концентрируется и кислород, причем, если в структуре пленки SnOx присутствует Pt или Pd, то они способны удерживать на каждой молекуле до 70–100 молекул кислорода.
Взаимодействие СО с термосорбционно-каталитическими пленками SnOx происходит аналогично взаимодействию с Н2: СО → СО+ + e–, и тогда . А в случае реакции 2СО + О–2 → 2СО2 + e– имеем .
Исследования чувствительности SnOx-детекторов в чистом азоте (N2), когда нет адсорбируемых ионов О–2, показали, что основным механизмом реакции SnOx с Н2 и СО является диссоциация.
Особое значение и особый отпечаток на работу SnOx оказывает влага. Помимо сорбцион­ных процессов, влажность за счет конденсации на поверхности сенсора характеризуется дополнительно через параметры поверхностного натяжения конденсированной пленки H2O. Свободная энергия поверхности сенсора описывается, как приращение проводимости ∆GS через поверхностное натяжение σS и суммарную площадь локальных островков ∆S конденсации Н2O, следующим образом:
∆GS = σS×∆S.
При повышении температуры происходит ослаб­ление сил взаимного притяжения, что приводит к тому, что поверхностное натяжение уменьшается с увеличением температуры материала. Эта зависимость поверхностного натяжения от температуры в большинстве случаев не линейна:

σS(T) = σS(0) – (δσS / δT) T.
Температура Ткр, при которой выполняется условие σS(0) = (δσS / δT) · TKp, называется критической, когда σS(TKP) = 0. При таких условиях поверхности раздела фаз не существует. В конденсированном состоянии Н2О не сможет находиться при Ткр = 374°С. За счет же микрорельефа поверхности Ткр для Н2О поднимается до 475°С.
В присутствии влаги изменяется система поверхностных состояний, описанная выше. Кроме того с повышением температуры происходит парение воды от поверхности и разложение воды за счет каталитизма пленки SnOx.
Таким образом, хемотронное преобразование позволяет получить однозначную характеристику химического состояния газовой среды в электронном представлении. Термокаталитические сенсоры, разработанные ОАО "Авангард" [25], реализуют чувствительность, например по метану не менее 20 мВ/1% об. при изменении чувствительности не более чем на ±25% в диапазоне температур от –40 до 60°С. Серийный образец термокаталитического сенсора ТКС-2-А показан на рис.15а. На основе этих сенсоров разработаны [26] и производятся серийно газоанализаторы АВУС-КОМБИ (рис.15б), позволяющие осуществлять измерения концентрации горючих и опасных газов (метана – СН4, пропана – С3Н8, угарного газа – СО) в диапазоне измерений 0–50% НКПР (СН4, С3Н8), 0–300 мг/м3 (СО) с пределами основной абсолютной погрешности ±2,5% НКПР и ±20мг/м3 в широком диапазоне температур и разной степени влажности окружающей среды.
Перспективы рынка МСТ-изделий
Очевидная перспективность микросистемотехнического направления развития электроники определила тему 10-го ежегодного Симпозиума по МЭМС-технологиям "Сенсоры: основа ускоренного развития рынка МЭМС до 1 триллиона долларов". Следует заметить, что, исходя из этимологического значения термина МЭМС, в сенсорах такого типа должен присутствовать механический эффект: линейное перемещение, изгиб (кантилеверы), вращение. Однако существуют микросистемотехнические сенсоры, реализующие фотоэлектронное, акустоэлектронное, магнитоэлектронное, термоэлектронное, хемотронное преобразования, не связанные с механическими эффектами. Такие сенсоры следует рассматривать как чувствительные элементы, преобразующие некоторое состояние среды в электронный сигнал, тогда как МЭМС-элементы представляются в качестве исполнительных частей (актюаторов) микросистемы, хотя и могут создавать сигнал о какой-то характеристике контролируемой среды. Например, с помощью микрокантилевера получают сигнал о молекулярном рельефе поверхности твердого тела [27]. Однако, как правило, чувствительный микроэлемент интегрирован в микросистему и поэтому, зачастую, физически неразделим с общей конструкцией микросистемотехнического устройства [28]. В общем случае следует различать просто сенсоры (физические, химические, биологические) и микроэлектромеханические сенсоры, которые, по существу, представляют собой физические сенсоры.
Теперь о самом существенном критерии перспективности любого нового продукта – о его рыночной конъюнктуре. Различные фирмы просматривают возможные пути достижения рынка сенсоров и актюа­торов объемом в 1 трлн долл., исходя из сформулированных ими целевых установок [29]. Так, фирма Hewlett Packard связывает это событие с созданием так называемой "Центральной нервной системы Земли" (Central Nervous System for the Earth – CeNSE). Эта система включает следующие элементы:
мониторинг климата;
поисково-разведывательные работы и добыча нефти;
активы и прослеживание системы поставок;
интеллектуальная инфраструктура транспортных магистралей;
предупреждения о цунами и землетрясениях;
интеллектуальные дома и энергосистемы;
структуральный мониторинг здоровья;
увеличение в 1000 раз процессорно-сенсорной информации Интернета в течение 2013 года.
Специалисты фирмы Bosch перспективы 1 трлн. рынка МСТ-изделий связывают с 7 млрд. приборов, содержащих множество сенсоров и подключенных к Интернету, пользователями которого к 2017 году будут 7 млрд. людей. Кроме того уже в 2010 году сети мобильной связи обслуживали 7 млрд. абонентов, значительная часть которых также являлась пользователями Интернета. Исходя из таких предпосылок, были введены понятия "Интернет людей" (социальные человеческие сети) и "Интернет вещей" ("социальные" машинные сети), и в таком сценарии рынка на каждую персону должно, в среднем, приходиться 1000 сенсоров. Среди крупных потребителей сенсоров также выделены:
современные автомобили – до 100 сенсоров на каждый;
интеллектуальные дома – от десятков до сотен сенсоров на каждый;
медицинская диагностика – десятки различных сенсоров, которые должны будут мигрировать в каждом пациенте.
В результате, чтобы достигнуть триллионного рынка в 2022 году, ежегодный прирост должен составлять 56%. Естественно, возникает вопрос о достоверности таких прогнозов, но, в любом случае, можно сделать вывод о технической обоснованности, объективной востребованности и исключительной перспективности микросистемотехнического направления развития электроники.
Литература
Kejik P., Schurig E., Bergsma F., Popovic R.S. First fully SMOS-integrated 3D Hall probe. – Proceedings of the 12th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, 5–9 June, Seoul, South Korea, 2005.
Drljaca P., Kejik P., Vincent F., Piguet D., Gueissaz F., Popovic R.S. Single core fully integrated. CMOS micro-fluxgate magnetometer. – Sensors and Actuators A: Physical, 2004, 110, 236–241.
Морисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. – М.: Мир, 1980, 488 с.
Chang Liu, Bar-Cohen Y. Scaling Laws of Microactuators and Potential Applications of Electroactive Polymers in MEMS. – Proceedings of SPIE’s 6th Annal International Symposium on Smart Structures and Materials, 1999.
Lewis D.H., Janson S.W., Cohen R.B., Antonsson E.K. Digital micropropulsion. – Proc. Int. Conf. on MEMS, 1999, р.517.
Исаченко В.П., Осипова В.А., Сукомел А.С. Теплопередача / изд. 4-е перераб. и доп. –
М.: Энергоиздат, 1981, 415 с.
Шилова О.А. Чепик Л.Ф., Бубнов Ю.З. Свойства пленок, получаемых из растворов на основе тетраэтоксилиана, в зависимости от технологических аспектов их формирования. – ЖПХ, 1995, т. 68, вып. 10, с. 1608–1612.
Патент РФ №2189043. Устройство для измерения концентрации окислительно-восстановительных компонентов в газовой смеси / Ю.З.Бубнов, В.Б.Васильев, В.А. Шубарев. Опубл. 19.04.2000 г.
Патент РФ № 3411511. Устройство для контроля концентрации опасных газов / В.И.Дикарев, В.А.Шубарев, В.А.Мельников, В.Н.Петрушин, А.Н.Михайлов. Опубл. 15.02.2010 г.
Новиков Ю.А., Озерин Ю.В., Плотников Ю.И., Раков А.В., Тодуа П.А. Нанометрология линейных измерений в атомно-силовой микроскопии. – РАН, Труды института общей физики им. А.М. Прохорова, т. 6, 2006,
с. 212–144.
Зенюк Д.А., Федирко В.А. Моделирование микроэлектромеханического термосенсора. Вестник МГТУ "СТАНКИН", 2011, т. 2, № 4, с. 64–68.
Bryzek Janusz. Emergence of a $Trillion MEMS Sensor Market. www.sensorscon.org/English/Archives/201203/Presentations/Janusz_Bryzek_Sensors Con2012.pdf
 
 Отзывы читателей
Разработка: студия Green Art