eng
Выпуск #6/2013
П.Гиндин, В.Карпов, Н.Кузнецов, В.Петренко, В.Семенов, В.Чишко
Матричные и субматричные фотоприемные модули
Матричные и субматричные фотоприемные модули
Просмотры: 9278
Компания ОАО "Московский завод "САПФИР" приступает к выпуску фотоприемных модулей второго поколения, используемых в специальных задачах наблюдения, контроля, прицеливания, охраны объектов военного и гражданского назначений. В статье приведены номенклатура, принципы построения и основные характеристики разработанных серийно-ориентированных устройств.
Теги: ir equipment photodetectors second generation thermal imaging devices ик-техника матричный фотоприемник второго поколения тепловизионные приборы
В основе принципа работы тепловизоров лежит преобразование теплового излучения объекта в его видимое изображение. Благодаря своему тепловому излучению замаскированные или скрытые объекты становятся видимыми. Тепловизионная техника динамично развивается благодаря способности распознавать объекты независимо от уровня естественной освещенности. Поэтому главным условием работоспособности этих приборов является температурный контраст между деталями изображения. Основной структурный элемент тепловизионных приборов – фокально-плоскостная матрица фотоприемников (FPA – Focal Plane Array). Аналоговые сигналы с пикселов матрицы после преобразования в цифровую форму поступают в блок обработки, в котором формируется видеосигнал. В современных матричных фотоприемниках достигнут разрешаемый температурный контраст до 0,02К. Известные высокоэффективные ИК-фотоприемники на основе многослойных структур с квантовыми ямами требуют для своей работы глубокого охлаждения матрицы – до глубоких криогенных температур (Т ≈ 65К), а микроболометрические матричные приемники – хорошей термостабилизации на основе термоэлектрического охлаждения. Кроме того, микроболометрические матричные приемники имеют ограничения по температурной чувствительности (ΔТ ≈ 0,07К) при невысоких кадровых частотах (Fк ≈ 30 Гц).
Традиционно компания ОАО "МЗ "САПФИР" выпускает изделия, предназначенные для систем тепловидения и тепло-пеленгационных систем. Среди них полупроводниковые ИК-фотоприемники и фотоприемные устройства на основе Si, Ge, антимонида индия (InSb), кадмий-ртуть-теллура (CdHgTe) (КРТ). В 2008–2010 годы в компании были разработаны серийно-ориентированные быстродействующие фотоприемные модули ФПМ второго поколения для перспективной тепловизионной аппаратуры [1–5]. Целью разработки стало создание промышленно-ориентированных конструкций и технологии сборки инфракрасных ФПМ второго поколения: субматричных ФПМ формата 4×288 элементов и матричных ФПМ форматов 320×240 и 320×256 элементов.
Работа проводилась в интересах модернизации и импортозамещения ФПМ в тепловизионных каналах для комплексов управления и наблюдения различного назначения. В результате были разработаны следующие ФПМ второго поколения:
унифицированные матричные ФПМ формата 320×240 и 320×256 элементов для диапазона 3–5 мкм (ФУК 149М и ФУК 154М);
унифицированные субматричные ФПМ формата 4×288 элементов диапазона 8–10,5 мкм, работающие в двухпроходном режиме временной задержки и накопления – (ФУК 148М и ФУК 152М);
унифицированные матричные ФПМ формата 320×256 элементов для диапазона 8–10,5 мкм (ФУК 143М и ФУК 151М).
СОСТАВ ФОТОПРИЕМНЫХ МОДУЛЕЙ
Разработанные ФПМ построены по однотипной схеме. В ее состав входят:
матрица или субматрица фоточувствительных элементов (МФЧЭ) на основе фотодиодов из InSb или КРТ;
кремниевая БИС считывания (мультиплексор), гибридизированная индиевыми микроконтактами с МФЧЭ и обеспечивающая считывание, предварительное усиление и мультиплексирование сигналов МФЧЭ;
вакуумный криостатируемый корпус, в котором размещены МФЧЭ, кремниевая БИС, газопоглотители и охлаждаемая диафрагма с оптическим фильтром, обеспечивающим заданный спектральный диапазон чувствительности;
микрокриогенная система (МКС) охлаждения.
МАТРИЧНЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ НА ОСНОВЕ InSb
Матричные фотоприемники на основе антимонида индия (InSb) предназначены для работы в области спектра 3–5 мкм. Были разработаны матричные фотоприемники формата 320×240 элементов и формата 320×256 элементов со строчно-кадровой организацией считывания.
МФЧЭ [4] разработана на основе матрицы фотодиодов из антимонида индия с тонкой базовой областью на кремниевой несущей подложке. Конструкция МФЧЭ (рис.1) обеспечивает согласование по коэффициентам термического расширения обоих элементов – МФЧЭ и кремниевой БИС считывания (мультиплексора). Как результат, влияние термомеханических напряжений на гибридную сборку МФЧЭ с кремниевой БИС считывания сведено к минимуму.
Кремниевая БИС считывания (рис.2) разработана по КМОП-технологии с нормой проектирования не более 0,8 мкм [4]. БИС обладает необходимыми функциональными возможностями. Во-первых, она обеспечивает режим работы, в котором осуществляется параллельное считывание (на 4/8 выходов) всего кадра формата 320×240 элементов с высокой чувствительностью и кадровой частотой не менее 200 Гц. Во-вторых, режим считывания нескольких строк идет с высокой частотой опроса (не менее 8000 Гц). В-третьих, БИС определяет режим "окна" прямоугольной формы, размеры которого задаются извне с кратностью по сторонам 8 пикселов ("окно" располагается в требуемом месте поля матрицы).
Матричный фотоприемник формируют гибридизацией МФЧЭ с кремниевой БИС считывания при помощи индиевых микростолбиков (рис.3), получаемых с использованием операций "сухого" травления. Далее матричный фотоприемник с датчиками температуры с помощью клеевого соединения размещают на контактном растре (рис.4), который, в свою очередь, является охлаждаемым элементов криостата.
МАТРИЧНЫЕ И СУБМАТРИЧНЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ НА ОСНОВЕ КАДМИЙ-РТУТЬ-ТУЛЛУР
Основным материалом для создания быстродействующих фотоприемников спектрального диапазона 8–14 мкм с предельными характеристиками чувствительности является твердый раствор теллуридов кадмия и ртути CdXHg1-XTe (КРТ).
Постоянно прогрессируя, производство КРТ развивалось от метода выращивания объемных кристаллов из расплава при высокой температуре к методам низкотемпературной эпитаксии. Эпитаксиальные методы являются наиболее пригодными для выращивания слоев КРТ большой площади и, соответственно, для создания матричных фотоприемников. Основными методами их получения являются жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ) и молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). В ИФП СО РАН создано отечественное оборудование и разработана промышленно-ориентированная технология молекулярно-лучевой эпитаксии слоев КРТ – базового стратегического материала современной ИК-техники для спектрального диапазона 8–14 мкм (ТУ 1778-003-03533808-2003).
При разработке субматричных и матричных фотоприемных модулей диапазона 8–10,5 мкм были использованы определенные типы фотоприемников.
Фотоприемник линейчатый (субматричный) ФП2 представляет собой гибридную сборку на индиевых микростолбах субматрицы фотодиодов из гетеро-эпитаксиальных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (ГЭС КРТ МЛЭ), и кремниевой БИС (мультиплексора). ФП является охлаждаемой фотоприемной линейкой формата 288×4 элементов – аналог ФПУ "ID TL015-XX-V3" фирмы Sofradir. Сборка разработана в ИФП СО РАН [6]. Конструкция линейки фотодиодов представлена на рис.5, а топология расположения фотодиодов в фотоприемной плоскости – на рис.6.
Разработанная кремниевая БИС (мультиплексор) для ФП2 формата 288×4 имеет схему и конструкцию, особенностями которой являются: полностью цифровое управление с помощью параллельного и последовательного портов, деселекция любой дефектной ячейки и реализация функции двунаправленного сканирования. Гибридизация линейки фотодиодов с мультиплексором осуществляется при помощи индиевых микростолбиков (рис.7).
Фотоприемник матричный ФП2М, который был разработан и изготовлен в ИФП СО РАН, представляет собой охлаждаемый матричный КРТ-фотоприемник формата 320×256 элементов с размерами пикселов 30×30 мкм [7]. Его длинноволновая граница спектральной чувствительности – 10,5 мкм. На рис.8 представлена конструкция гибридной сборки фотоприемника ФП2М, а на рис.9 – формат фоточувствительного поля приемника.
Конструктивная схема матричного фотоприемника в вакуумном криостате. В конструкцию вакуумного криостатируемого корпуса (ВКК) входят держатель с закрепленными на нем охлаждаемыми элементами, корпус с газопоглотителем (геттер) и крышка с входным окном [1].
Держатель ВКК одновременно является гильзой вытеснителя газовой криогенной машины (ГКМ), входящей в состав МКС. На торце гильзы-держателя закреплен керамический наконечник (растр контактный), который является посадочным местом для фоточувствительных элементов и других охлаждаемых элементов конструкции. На рис.10 представлена компоновка фотоприемника в составе ВКК.
Контактные площадки наконечника соединены с контактными площадками металлокерамического цоколя проводниками диаметром 0,03 мм из сплава платина (80%) – иридий (20%). Такое соединение обеспечивает оптимальное соотношение теплопроводности и электрического сопротивления.
Вакуумная откачка криостата производится через медный штенгель, впаянный "твердой" высокотемпературной пайкой (припой ПСР-72). После откачки штенгель перекусывается специальными кусачками. Они обеспечивают холодную (диффузионную) сварку стенок штенгеля, герметизируя, таким образом, вакуумный объем ВКК. Активируя периодически газопоглотители (геттеров), расположенные на внутренней стенке ВКК, добиваются поддержки или даже восстановления необходимого вакуума в полости, если это будет необходимо. Рис.11 дает представление о матричном фотоприемнике в составе ВКК.
МИКРОКРИОГЕННАЯ СИСТЕМА (МКС) ОХЛАЖДЕНИЯ
Чтобы решить задачу полного импортозамещения ФПУ, предназначенных для размещения в тепловизионной аппаратуре различного назначения, в 2011–2013 годы компания ОАО "МЗ "САПФИР" провела ОКР. Работа была посвящена разработке микрокриогенной системы охлаждения (МКС) интегрального типа с газовой криогенной машиной, работающей по циклу Стирлинга – "Сапфир–МКС" [5].
Целью ОКР стала разработка моноблочной МКС для обеспечения рабочей температуры фоточувствительных элементов 78±2К. Благодаря интегральной стыковке МКС с криостатами удалось получить заметный выигрыш в энергетических и габаритно-весовых характеристиках разрабатываемых систем. На рис.12 и рис.13 представлены основные узлы разработанной МКС, внешний вид которой иллюстрирует рис.14. Основные параметры МКС представлены в табл. 1.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДУЛЕЙ
ФУК 149М (рис.15) и ФУК 154М (рис.16) – унифицированные матричные фотоприемные модули формата 320×240 и 320×256 элементов диапазона 3–5 мкм. В табл.2 приведены основные параметры модулей.
ФУК 148М (рис.17) и ФУК 152М (рис.18) – унифицированные субматричные фотоприемные модули формата 4×288 элементов для диапазона 8–10,5 мкм, работающие в двухпроходном режиме временной задержки и накопления. Основные параметры – в табл. 3.
ФУК 143М (рис.19) и ФУК 151М (рис.20) – унифицированные матричные фотоприемные модули формата 320×256 элементов для диапазона 8–10,5 мкм. Основные параметры – в табл. 4.
КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ МОДУЛЕЙ
Измерения фотоэлектрических параметров (ФЭП) фотоприемных модулей было выполнено на унифицированном измерительном стенде (рис. 21). Для автоматизации процедуры измерения ФЭП фотоприемных модулей и регистрации результатов измерений в электронной базе данных было разработано специализированное программное обеспечение (СПО). Интерфейсы СПО в среде операционной системы "Windows" представлены на рис.22 и рис. 23.
РАЗРАБОТКА БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
С 2013 года ОАО "МЗ "САПФИР" ведет ОКР "Апекс" по разработке промышленной технологии изготовления крупноформатных матричных ФПУ на основе антимонида индия. Ее цель – создать промышленную технологию изготовления матричных фотоприемных устройств (МФПУ) формата 640×512 элементов, включающую технологию изготовления фоточувствительных матриц на основе антимонида индия с шагом расположения элементов не более 20 мкм.
В ходе работ должны быть отработаны базовая технология изготовления крупноформатных охлаждаемых матричных фоточувствительных элементов с малым размером пиксела и технология изготовления крупноформатных охлаждаемых мультиплексоров с топологической нормой проектирования менее 1 мкм. Параллельно этому будут созданы методы и средства измерений и испытаний крупноформатных матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия. А рабочие участки получат оснащение и специализированное оборудование для обеспечения требуемых технологических норм и качества изделий при высокой производительности производства.
ЛИТЕРАТУРА
Криостат "ВАКУУМ-2" ТУ 6370-005-07539943-07, ОАО "МЗ "САПФИР", 2007.
Фотоприемные модули ФУК 148М и ФУК 152М ТУ 6349-012-07539943-2010, ОАО "МЗ "САПФИР", 2010.
Фотоприемные модули ФУК 143М и ФУК 151М ТУ 6349-013-07539943-2010, ОАО "МЗ "САПФИР", 2010.
Матричное фотоприемное устройство ТУ 6349-016-07539943-2010, ОАО "МЗ "САПФИР", 2010.
Микрокриогенная система охлаждения интегрального типа "Сапфир-МКС" ЖИАЮ.702411.001 ТУ, ОАО "МЗ "САПФИР", 2013.
Фотоприемник линейчатый ФП2 КНГУ.927.00.00 ТУ, ИФП СО РАН, 20010.
Фотоприемник матричный ФП2М КНГУ.928.00.00 ТУ, ИФП СО РАН, 2010.
Традиционно компания ОАО "МЗ "САПФИР" выпускает изделия, предназначенные для систем тепловидения и тепло-пеленгационных систем. Среди них полупроводниковые ИК-фотоприемники и фотоприемные устройства на основе Si, Ge, антимонида индия (InSb), кадмий-ртуть-теллура (CdHgTe) (КРТ). В 2008–2010 годы в компании были разработаны серийно-ориентированные быстродействующие фотоприемные модули ФПМ второго поколения для перспективной тепловизионной аппаратуры [1–5]. Целью разработки стало создание промышленно-ориентированных конструкций и технологии сборки инфракрасных ФПМ второго поколения: субматричных ФПМ формата 4×288 элементов и матричных ФПМ форматов 320×240 и 320×256 элементов.
Работа проводилась в интересах модернизации и импортозамещения ФПМ в тепловизионных каналах для комплексов управления и наблюдения различного назначения. В результате были разработаны следующие ФПМ второго поколения:
унифицированные матричные ФПМ формата 320×240 и 320×256 элементов для диапазона 3–5 мкм (ФУК 149М и ФУК 154М);
унифицированные субматричные ФПМ формата 4×288 элементов диапазона 8–10,5 мкм, работающие в двухпроходном режиме временной задержки и накопления – (ФУК 148М и ФУК 152М);
унифицированные матричные ФПМ формата 320×256 элементов для диапазона 8–10,5 мкм (ФУК 143М и ФУК 151М).
СОСТАВ ФОТОПРИЕМНЫХ МОДУЛЕЙ
Разработанные ФПМ построены по однотипной схеме. В ее состав входят:
матрица или субматрица фоточувствительных элементов (МФЧЭ) на основе фотодиодов из InSb или КРТ;
кремниевая БИС считывания (мультиплексор), гибридизированная индиевыми микроконтактами с МФЧЭ и обеспечивающая считывание, предварительное усиление и мультиплексирование сигналов МФЧЭ;
вакуумный криостатируемый корпус, в котором размещены МФЧЭ, кремниевая БИС, газопоглотители и охлаждаемая диафрагма с оптическим фильтром, обеспечивающим заданный спектральный диапазон чувствительности;
микрокриогенная система (МКС) охлаждения.
МАТРИЧНЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ НА ОСНОВЕ InSb
Матричные фотоприемники на основе антимонида индия (InSb) предназначены для работы в области спектра 3–5 мкм. Были разработаны матричные фотоприемники формата 320×240 элементов и формата 320×256 элементов со строчно-кадровой организацией считывания.
МФЧЭ [4] разработана на основе матрицы фотодиодов из антимонида индия с тонкой базовой областью на кремниевой несущей подложке. Конструкция МФЧЭ (рис.1) обеспечивает согласование по коэффициентам термического расширения обоих элементов – МФЧЭ и кремниевой БИС считывания (мультиплексора). Как результат, влияние термомеханических напряжений на гибридную сборку МФЧЭ с кремниевой БИС считывания сведено к минимуму.
Кремниевая БИС считывания (рис.2) разработана по КМОП-технологии с нормой проектирования не более 0,8 мкм [4]. БИС обладает необходимыми функциональными возможностями. Во-первых, она обеспечивает режим работы, в котором осуществляется параллельное считывание (на 4/8 выходов) всего кадра формата 320×240 элементов с высокой чувствительностью и кадровой частотой не менее 200 Гц. Во-вторых, режим считывания нескольких строк идет с высокой частотой опроса (не менее 8000 Гц). В-третьих, БИС определяет режим "окна" прямоугольной формы, размеры которого задаются извне с кратностью по сторонам 8 пикселов ("окно" располагается в требуемом месте поля матрицы).
Матричный фотоприемник формируют гибридизацией МФЧЭ с кремниевой БИС считывания при помощи индиевых микростолбиков (рис.3), получаемых с использованием операций "сухого" травления. Далее матричный фотоприемник с датчиками температуры с помощью клеевого соединения размещают на контактном растре (рис.4), который, в свою очередь, является охлаждаемым элементов криостата.
МАТРИЧНЫЕ И СУБМАТРИЧНЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ НА ОСНОВЕ КАДМИЙ-РТУТЬ-ТУЛЛУР
Основным материалом для создания быстродействующих фотоприемников спектрального диапазона 8–14 мкм с предельными характеристиками чувствительности является твердый раствор теллуридов кадмия и ртути CdXHg1-XTe (КРТ).
Постоянно прогрессируя, производство КРТ развивалось от метода выращивания объемных кристаллов из расплава при высокой температуре к методам низкотемпературной эпитаксии. Эпитаксиальные методы являются наиболее пригодными для выращивания слоев КРТ большой площади и, соответственно, для создания матричных фотоприемников. Основными методами их получения являются жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ) и молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). В ИФП СО РАН создано отечественное оборудование и разработана промышленно-ориентированная технология молекулярно-лучевой эпитаксии слоев КРТ – базового стратегического материала современной ИК-техники для спектрального диапазона 8–14 мкм (ТУ 1778-003-03533808-2003).
При разработке субматричных и матричных фотоприемных модулей диапазона 8–10,5 мкм были использованы определенные типы фотоприемников.
Фотоприемник линейчатый (субматричный) ФП2 представляет собой гибридную сборку на индиевых микростолбах субматрицы фотодиодов из гетеро-эпитаксиальных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (ГЭС КРТ МЛЭ), и кремниевой БИС (мультиплексора). ФП является охлаждаемой фотоприемной линейкой формата 288×4 элементов – аналог ФПУ "ID TL015-XX-V3" фирмы Sofradir. Сборка разработана в ИФП СО РАН [6]. Конструкция линейки фотодиодов представлена на рис.5, а топология расположения фотодиодов в фотоприемной плоскости – на рис.6.
Разработанная кремниевая БИС (мультиплексор) для ФП2 формата 288×4 имеет схему и конструкцию, особенностями которой являются: полностью цифровое управление с помощью параллельного и последовательного портов, деселекция любой дефектной ячейки и реализация функции двунаправленного сканирования. Гибридизация линейки фотодиодов с мультиплексором осуществляется при помощи индиевых микростолбиков (рис.7).
Фотоприемник матричный ФП2М, который был разработан и изготовлен в ИФП СО РАН, представляет собой охлаждаемый матричный КРТ-фотоприемник формата 320×256 элементов с размерами пикселов 30×30 мкм [7]. Его длинноволновая граница спектральной чувствительности – 10,5 мкм. На рис.8 представлена конструкция гибридной сборки фотоприемника ФП2М, а на рис.9 – формат фоточувствительного поля приемника.
Конструктивная схема матричного фотоприемника в вакуумном криостате. В конструкцию вакуумного криостатируемого корпуса (ВКК) входят держатель с закрепленными на нем охлаждаемыми элементами, корпус с газопоглотителем (геттер) и крышка с входным окном [1].
Держатель ВКК одновременно является гильзой вытеснителя газовой криогенной машины (ГКМ), входящей в состав МКС. На торце гильзы-держателя закреплен керамический наконечник (растр контактный), который является посадочным местом для фоточувствительных элементов и других охлаждаемых элементов конструкции. На рис.10 представлена компоновка фотоприемника в составе ВКК.
Контактные площадки наконечника соединены с контактными площадками металлокерамического цоколя проводниками диаметром 0,03 мм из сплава платина (80%) – иридий (20%). Такое соединение обеспечивает оптимальное соотношение теплопроводности и электрического сопротивления.
Вакуумная откачка криостата производится через медный штенгель, впаянный "твердой" высокотемпературной пайкой (припой ПСР-72). После откачки штенгель перекусывается специальными кусачками. Они обеспечивают холодную (диффузионную) сварку стенок штенгеля, герметизируя, таким образом, вакуумный объем ВКК. Активируя периодически газопоглотители (геттеров), расположенные на внутренней стенке ВКК, добиваются поддержки или даже восстановления необходимого вакуума в полости, если это будет необходимо. Рис.11 дает представление о матричном фотоприемнике в составе ВКК.
МИКРОКРИОГЕННАЯ СИСТЕМА (МКС) ОХЛАЖДЕНИЯ
Чтобы решить задачу полного импортозамещения ФПУ, предназначенных для размещения в тепловизионной аппаратуре различного назначения, в 2011–2013 годы компания ОАО "МЗ "САПФИР" провела ОКР. Работа была посвящена разработке микрокриогенной системы охлаждения (МКС) интегрального типа с газовой криогенной машиной, работающей по циклу Стирлинга – "Сапфир–МКС" [5].
Целью ОКР стала разработка моноблочной МКС для обеспечения рабочей температуры фоточувствительных элементов 78±2К. Благодаря интегральной стыковке МКС с криостатами удалось получить заметный выигрыш в энергетических и габаритно-весовых характеристиках разрабатываемых систем. На рис.12 и рис.13 представлены основные узлы разработанной МКС, внешний вид которой иллюстрирует рис.14. Основные параметры МКС представлены в табл. 1.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДУЛЕЙ
ФУК 149М (рис.15) и ФУК 154М (рис.16) – унифицированные матричные фотоприемные модули формата 320×240 и 320×256 элементов диапазона 3–5 мкм. В табл.2 приведены основные параметры модулей.
ФУК 148М (рис.17) и ФУК 152М (рис.18) – унифицированные субматричные фотоприемные модули формата 4×288 элементов для диапазона 8–10,5 мкм, работающие в двухпроходном режиме временной задержки и накопления. Основные параметры – в табл. 3.
ФУК 143М (рис.19) и ФУК 151М (рис.20) – унифицированные матричные фотоприемные модули формата 320×256 элементов для диапазона 8–10,5 мкм. Основные параметры – в табл. 4.
КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ МОДУЛЕЙ
Измерения фотоэлектрических параметров (ФЭП) фотоприемных модулей было выполнено на унифицированном измерительном стенде (рис. 21). Для автоматизации процедуры измерения ФЭП фотоприемных модулей и регистрации результатов измерений в электронной базе данных было разработано специализированное программное обеспечение (СПО). Интерфейсы СПО в среде операционной системы "Windows" представлены на рис.22 и рис. 23.
РАЗРАБОТКА БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
С 2013 года ОАО "МЗ "САПФИР" ведет ОКР "Апекс" по разработке промышленной технологии изготовления крупноформатных матричных ФПУ на основе антимонида индия. Ее цель – создать промышленную технологию изготовления матричных фотоприемных устройств (МФПУ) формата 640×512 элементов, включающую технологию изготовления фоточувствительных матриц на основе антимонида индия с шагом расположения элементов не более 20 мкм.
В ходе работ должны быть отработаны базовая технология изготовления крупноформатных охлаждаемых матричных фоточувствительных элементов с малым размером пиксела и технология изготовления крупноформатных охлаждаемых мультиплексоров с топологической нормой проектирования менее 1 мкм. Параллельно этому будут созданы методы и средства измерений и испытаний крупноформатных матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия. А рабочие участки получат оснащение и специализированное оборудование для обеспечения требуемых технологических норм и качества изделий при высокой производительности производства.
ЛИТЕРАТУРА
Криостат "ВАКУУМ-2" ТУ 6370-005-07539943-07, ОАО "МЗ "САПФИР", 2007.
Фотоприемные модули ФУК 148М и ФУК 152М ТУ 6349-012-07539943-2010, ОАО "МЗ "САПФИР", 2010.
Фотоприемные модули ФУК 143М и ФУК 151М ТУ 6349-013-07539943-2010, ОАО "МЗ "САПФИР", 2010.
Матричное фотоприемное устройство ТУ 6349-016-07539943-2010, ОАО "МЗ "САПФИР", 2010.
Микрокриогенная система охлаждения интегрального типа "Сапфир-МКС" ЖИАЮ.702411.001 ТУ, ОАО "МЗ "САПФИР", 2013.
Фотоприемник линейчатый ФП2 КНГУ.927.00.00 ТУ, ИФП СО РАН, 20010.
Фотоприемник матричный ФП2М КНГУ.928.00.00 ТУ, ИФП СО РАН, 2010.
Отзывы читателей
