eng
Выпуск #6/2007
С.Аваков, В.Овчинников, С.Карпович, Е.Титко, Г.Трапашко.
Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм
Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм
Просмотры: 4757
Отсутствие современных отечественных комплексов для изготовления фотошаблонов всегда было фактором, сдерживающим развитие отрасли. Поэтому радуют любые сдвиги в этом направлении, тем более когда речь идет о комплектах оборудования не только уровня 0,35 мкм (что не вызывает энтузиазма), но и 90 нм (а это уже в шаге от переднего края), произведенных в соответствии с концепцией бездефектного изготовления оригиналов топологии ИС [1].
Введение
Процесс формирования топологии ИС на фотошаблонах является основой кристального производства. Топология современной ИС сложна и состоит из десятков и сотен миллионов топологических элементов. Ее генерирование в соответствии с проектными данными за один цикл фотолитографии – неразрешимая задача. Поэтому необходимо использовать операции автоматического контроля топологии и устранения обнаруженных дефектов.
Первая из них (контроль топологии) – одна из самых дорогостоящих в процессе изготовления ИС (установка, обеспечивающая уровень 90 нм, стоит, например, более 16 млн. долл. [2], а в отечественном исполнении – около 3 млн. долл.). Это оборудование, однако, быстро окупается, так как часто наличие лишь одного дефекта в одном слое ИС делает ее неработоспособной и приводит к миллионным убыткам. Аналогичная ситуация и с оборудованием для устранения дефектов топологии. Количество дефектов можно существенного уменьшить, используя пакет программ для моделирования процессов фотолитографии при переносе изображения с фотошаблона на п/п пластину [3].
Требования фотолитографии
В табл.1 приведены требования литографии, предъявляемые к оборудованию, предназначенному для производства ИС уровня от 0,35 мкм до 90 нм. Но реальные требования могут несколько отличаться от указанных в таблице.
Основные технологические операции в процессе изготовления фотошаблонов
Как известно, количество элементов ИС удваивается примерно каждые 18 месяцев, что ведет к уменьшению проектных норм и применению по всей технологической цепочке (прежде всего при фотолитографии) оборудования с более высоким разрешением оптических систем. Последнее ведет к уменьшению коэффициента К1 в формуле Рэлея для разрешения оптической системы [4] при тех же значениях длины волны экспонирующего излучения и числовой апертуры объектива.
Если К1 ≥ 0,5, процесс фотолитографии можно выполнить с традиционными (бинарными) фотошаблонами, имеющими два вида изображения – темное и светлое. При его уменьшении требуемое разрешение удается получить только при помощи элементов коррекции оптической близости (OPC), улучшающих форму элементов топологии, и с помощью фазосдвигающих элементов (PSM), повышающих контраст изображения. При К1 ≤ 0,4 элементы OPC и PSM – обязательны.
Формирование элементов OPC и PSM получило название техники повышения разрешения (RET). Фазосдвигающие элементы формируются либо путем полутоновых шаблонов, обеспечивающих постоянный фазовый сдвиг на границах элементов топологии, либо с помощью шаблонов, где сдвиг достигается за счет второй фотолитографии с последующим травлением кварцевой подложки (для шаблонов с переменным фазовым сдвигом).
Введение таких элементов, особенно для фотошаблонов с переменным фазовым сдвигом, существенно усложняет и удорожает технологический процесс. Стоимость одного комплекта из 27 фотошаблонов уровня 90 нм может превышать 1,5 млн. долл. [5]. Необходимость изготовления фотошаблонов с использованием техники RET, особенно с переменным фазовым сдвигом, накладывает определенные требования на оборудование. Так, генератор изображения должен быть оснащен системой совмещения, а установка автоматического контроля топологии – системой получения изображения в режиме фазового контраста.
При изготовлении бинарных фотошаблонов можно выделить 11 базовых операций.
Экспонирование фоторезиста – основная операция при изготовлении топологии ИС на фотошаблонах. Уровень и качество топологического рисунка в первую очередь определяются точностными параметрами генератора изображений. Размер минимального элемента генератора определяет уровень проектных норм для фотошаблонов. Для бинарных шаблонов (типа CoG – хром на стекле) проектная норма определяется делением размера минимального элемента на кратность переноса изображения с фотошаблона на п/п пластину. Обычно кратность переноса равна 4. Тогда для генератора ЭМ-5189 (табл.2) предельный уровень проектных норм будет 0,6 мкм/4 = 0,15 мкм, а для генератора ЭМ-5389 (табл.3) – 0,2/4 = 0,05 мкм.
Проявление фоторезиста разрушает экспонированные области фотомаски и делает их доступными для химической реакции при выполнении следующей операции – травления. Для такого проявления используют специальные растворы, подаваемые на поверхность фотошаблона. Они вымывают засвеченные области фоторезиста.
Травление хрома позволяет на стеклянной или кварцевой подложке получить металлический рисунок, который используется далее при выполнении операции фотолитографии на п/п пластине. В результате маскирующее покрытие в незащищенных фоторезистом местах вытравливается до кварцевой или стеклянной основы.
Операция снятия фоторезистивной маски – вспомогательная, но от качества ее выполнения также зависит успех операции в целом.
Операция измерения микроразмеров сводится к измерениям ширины линии, которую проводят выборочно для небольшого набора линий минимальной ширины (критических размеров) для данной проектной нормы. При этом контролируются три параметра, характеризующие адекватность воспроизведения размеров и качество процесса фотолитографии: точность и линейность размера, а также линейность сканирования.
Точность размера – параметр, характеризующий соответствие сформированных на фотошаблоне размеров, поэтому для его контроля требуется метрологическое оборудование.
Линейность размера – параметр, определяющий, насколько меняется точность воспроизведения размера для различных номинальных значений. Линейность сканирования определяет, как изменяется точность критического размера на различных участках рабочего поля. В принципе эти два параметра можно контролировать там же, где контролируется точность размера, но лучше использовать специальное оборудование.
Контроль совмещаемости элементов различных слоев – вторая из двух операций, используемых для контроля качества оригиналов топологии на фотошаблонах. Как и измерение микроразмеров, эта операция применяется выборочно и служит для отработки техпроцесса. Для измерения параметров используется специальное контрольно-измерительное оборудование.
Операция очистки поверхности фотошаблона выполняется для удаления пыли и грязи с рабочей поверхности фотошаблона. Она проводится на установке механической и мегазвуковой очистки.
Контроль рисунка фотошаблона на соответствие проектным данным – основная операция контроля, выполняемая для всех фотошаблонов (100%-ный контроль) путем сравнения параметров рисунка фотошаблона с проектными данными. Этот метод позволяет обнаруживать все типы дефектов согласно классификации SEMI. Контроль топологии проводится после операций травления и отмывки фотошаблона и повторяется после операции исправления дефектов. Заключительная операция контроля топологии проводится после защиты фотомаски пленкой (пеликлом).
Устранение всех дефектов маскирующего покрытия проводится на лазерной установке, устраняющей прозрачные и непрозрачные дефекты. Последние устраняются испарением остатков маскирующего покрытия импульсным лазером, а первые – лазерно-стимулированным осаждением металлоорганического вещества из газообразной фазы.
Финишная отмывка фотошаблона обеспечивает удаление пыли и грязи с рабочей поверхности фотошаблона. Эта операция также проводится на установке механической и мегазвуковой очистки.
Закрытие поверхности фотошаблона пеликлами и контроль на наличие дефектов на фотошаблоне и пеликле позволяет исключить попадание инородных частиц на поверхность фотошаблона при его эксплуатации.
Ситуация меняется при использовании таких элементов техники RET, как внесение в топологию элементов коррекции оптической близости (OPC) и использование фазосдвигающих элементов. Размер элементов OPC, включаемых в топологию для коррекции формы, меньше разрешения оптической системы мультипликатора. Эти элементы не прорабатываются его оптикой, оказывая лишь косвенное влияние на основные элементы. Размеры вспомогательных элементов могут составлять половину или треть проектной нормы. С учетом этого генератор с минимальным элементом 0,6 мкм может работать с нормами от 0,3 (0,15×2) до 0,45 (0,15×3) мкм. При размере вспомогательного элемента 400 нм генератор может уверенно работать с нормами 0,35 мкм. Для генератора с минимальным элементом 0,2 мкм соответственно получаем нормы от 0,10 (0,05×2) до 0,15 (0,05×3) мкм, а с учетом размера вспомогательного элемента 150 нм – возможность работы с нормами до 90 нм.
Комплекты оборудования для производства фотошаблонов уровня 0,35 мкм и 0,90 нм
Освоенный сегодня в производстве отечественный комплект оборудования бездефектного изготовления фотошаблонов уровня 0,35 мкм состоит из многоканального лазерного генератора изображений ЭМ-5189, установки автоматического контроля топологии ЭМ-6029Б (ЭМ-6329) и установки лазерного устранения дефектов ЭМ-5001Б (см. рисунок). Основные технические характеристики этого оборудования приведены в табл.2.
В стадии создания находится комплект оборудования для производства фотошаблонов уровня 90 нм. Он состоит из многоканального лазерного генератора изображений ЭМ-5389 с размером минимального элемента 0,2 мкм, установки автоматического контроля топологии ЭМ-6729 с обнаружительной способностью 65 нм и установки лазерного устранения дефектов ЭМ-5131, устраняющей дефекты размером до 0,2 мкм с помощью фемтосекундного импульсного лазера. Основные характеристики этого оборудования приведены в табл.3. Этот комплект оборудования позволит изготовлять фотошаблоны перечисленных ниже типов:
* традиционные бинарные фотошаблоны (типа CoG);
* полутоновые фотошаблоны (типа EPSM), изготовленные, например, из комбинаций материалов: Mo+Si или Cr+O2+N;
* фотошаблоны с переменным фазовым сдвигом, изготовленные с помощью технологии травления кварца (AltPSM);
* фотошаблоны с элементами OPC (jogs, serifs и др.) с размерами, меньшими, чем разрешение установки совмещения и мультипликации, используемой для переноса изображения с фотошаблона на п/п пластину.
Одно из важных преимуществ отечественного оборудования – возможность обеспечить технологическую безопасность процесса изготовления топологии ИС. Оно позволяет гарантировать отсутствие преднамеренных искажений топологической информации, вызванных, например, закладкой структур, которые активируются при определенных условиях. Этот аспект наиболее важен при изготовлении ИС спецназначения.
Для лучшей совместимости и эффективности работы все установки проектируются как единый комплекс, что обеспечивает им ряд следующих преимуществ.
* Полная совместимость координатных систем разных установок комплекса за счет применения однотипных интерферометров и реализации единых алгоритмов управления перемещениями координатного стола. Используется однотипная система линейных шаговых двигателей и интерферометрических датчиков линейных перемещений (на базе двухчастотных лазеров). Это позволяет существенно сократить число ложных ошибок, вызванных отклонением траекторий координатных столов генератора изображений и установки контроля топологии от заданных, что повышает достоверность контроля. Появляется возможность более точного выхода в зону дефектов, что упрощает ремонт маски фотошаблона. Реализуются единые подходы к построению алгоритмов компенсации погрешностей координатных систем, что улучшает воспроизводимость отработки перемещений на различных установках.
* Возможность создания единой системы преобразования проектных данных при построении изображения генератора изображений и установки контроля топологии. Эта система включает единую подсистему формирования припусков на размеры элементов топологии. Совместимость проектных данных генераторов изображений и установки контроля топологии реализуется не только на уровне форматов данных, но и алгоритмов обработки (например, алгоритмов округления координат элементов и формирования огибающих контуров). Генератор изображений и установка контроля топологии оснащаются однотипными системами векторно-растрового преобразования, позволяющими переходить при проектировании от абстрактных координат к самим объектам, что существенно уменьшает число ложных дефектов при контроле топологии.
Данное оборудование также обеспечивает:
* возможность гибкого изменения форматов данных о дефектах для установок контроля и ремонта фотошаблонов;
* возможность разработки систем управления на единой элементной базе;
* возможность разработки общих интерфейсов и библиотек ПО;
* снижение себестоимости разработки и изготовления благодаря унификации систем управления, ПО и отдельных узлов оптико-механических устройств;
* упрощение технического обслуживания установок благодаря построению единой системы тестирования оборудования.
Выводы
Разработан и освоен в производстве комплект отечественного оптико-механического оборудования, обеспечивающий изготовление фотошаблонов для производства ИС уровня 0,35 мкм. В стадии разработки находится комплект уровня 90 нм. Интегрированный подход к созданию такого оборудования дает ряд преимуществ, обеспечивающих максимальную эффективность затрат.
Литература
1. S.Avakaw. High productivity object-oriented defect detection algorithms for the new modular die-to-database reticle inspection platform. – SPIE, 2005, v.5835, p.290–299.
2. W.Broadbent et al. Results from a new die-to-database reticle inspection platform. – Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXI, C.N.Archie, Ed., Proc. of SPIE, 2007, v.6518, p.651821.
3. S.Avakaw, A.Korneliuk, A.Tsitko. A prospective modular platform of the mask pattern automatic inspection using the die-to-database method. – SPIE, 2005, v.5853, p.965–976.
4. A.Kwok-Kit Wong. Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography. – SPIE Press, USA, 2001, 213p.
5. U.Behringer. Foreword of the 19th European Mask Conference on Mask Technology for IC and Micro-Components. – GMM-Conf., Jan. 13-15, 2003, Sonthofen, Germany, pp.1–2.
Процесс формирования топологии ИС на фотошаблонах является основой кристального производства. Топология современной ИС сложна и состоит из десятков и сотен миллионов топологических элементов. Ее генерирование в соответствии с проектными данными за один цикл фотолитографии – неразрешимая задача. Поэтому необходимо использовать операции автоматического контроля топологии и устранения обнаруженных дефектов.
Первая из них (контроль топологии) – одна из самых дорогостоящих в процессе изготовления ИС (установка, обеспечивающая уровень 90 нм, стоит, например, более 16 млн. долл. [2], а в отечественном исполнении – около 3 млн. долл.). Это оборудование, однако, быстро окупается, так как часто наличие лишь одного дефекта в одном слое ИС делает ее неработоспособной и приводит к миллионным убыткам. Аналогичная ситуация и с оборудованием для устранения дефектов топологии. Количество дефектов можно существенного уменьшить, используя пакет программ для моделирования процессов фотолитографии при переносе изображения с фотошаблона на п/п пластину [3].
Требования фотолитографии
В табл.1 приведены требования литографии, предъявляемые к оборудованию, предназначенному для производства ИС уровня от 0,35 мкм до 90 нм. Но реальные требования могут несколько отличаться от указанных в таблице.
Основные технологические операции в процессе изготовления фотошаблонов
Как известно, количество элементов ИС удваивается примерно каждые 18 месяцев, что ведет к уменьшению проектных норм и применению по всей технологической цепочке (прежде всего при фотолитографии) оборудования с более высоким разрешением оптических систем. Последнее ведет к уменьшению коэффициента К1 в формуле Рэлея для разрешения оптической системы [4] при тех же значениях длины волны экспонирующего излучения и числовой апертуры объектива.
Если К1 ≥ 0,5, процесс фотолитографии можно выполнить с традиционными (бинарными) фотошаблонами, имеющими два вида изображения – темное и светлое. При его уменьшении требуемое разрешение удается получить только при помощи элементов коррекции оптической близости (OPC), улучшающих форму элементов топологии, и с помощью фазосдвигающих элементов (PSM), повышающих контраст изображения. При К1 ≤ 0,4 элементы OPC и PSM – обязательны.
Формирование элементов OPC и PSM получило название техники повышения разрешения (RET). Фазосдвигающие элементы формируются либо путем полутоновых шаблонов, обеспечивающих постоянный фазовый сдвиг на границах элементов топологии, либо с помощью шаблонов, где сдвиг достигается за счет второй фотолитографии с последующим травлением кварцевой подложки (для шаблонов с переменным фазовым сдвигом).
Введение таких элементов, особенно для фотошаблонов с переменным фазовым сдвигом, существенно усложняет и удорожает технологический процесс. Стоимость одного комплекта из 27 фотошаблонов уровня 90 нм может превышать 1,5 млн. долл. [5]. Необходимость изготовления фотошаблонов с использованием техники RET, особенно с переменным фазовым сдвигом, накладывает определенные требования на оборудование. Так, генератор изображения должен быть оснащен системой совмещения, а установка автоматического контроля топологии – системой получения изображения в режиме фазового контраста.
При изготовлении бинарных фотошаблонов можно выделить 11 базовых операций.
Экспонирование фоторезиста – основная операция при изготовлении топологии ИС на фотошаблонах. Уровень и качество топологического рисунка в первую очередь определяются точностными параметрами генератора изображений. Размер минимального элемента генератора определяет уровень проектных норм для фотошаблонов. Для бинарных шаблонов (типа CoG – хром на стекле) проектная норма определяется делением размера минимального элемента на кратность переноса изображения с фотошаблона на п/п пластину. Обычно кратность переноса равна 4. Тогда для генератора ЭМ-5189 (табл.2) предельный уровень проектных норм будет 0,6 мкм/4 = 0,15 мкм, а для генератора ЭМ-5389 (табл.3) – 0,2/4 = 0,05 мкм.
Проявление фоторезиста разрушает экспонированные области фотомаски и делает их доступными для химической реакции при выполнении следующей операции – травления. Для такого проявления используют специальные растворы, подаваемые на поверхность фотошаблона. Они вымывают засвеченные области фоторезиста.
Травление хрома позволяет на стеклянной или кварцевой подложке получить металлический рисунок, который используется далее при выполнении операции фотолитографии на п/п пластине. В результате маскирующее покрытие в незащищенных фоторезистом местах вытравливается до кварцевой или стеклянной основы.
Операция снятия фоторезистивной маски – вспомогательная, но от качества ее выполнения также зависит успех операции в целом.
Операция измерения микроразмеров сводится к измерениям ширины линии, которую проводят выборочно для небольшого набора линий минимальной ширины (критических размеров) для данной проектной нормы. При этом контролируются три параметра, характеризующие адекватность воспроизведения размеров и качество процесса фотолитографии: точность и линейность размера, а также линейность сканирования.
Точность размера – параметр, характеризующий соответствие сформированных на фотошаблоне размеров, поэтому для его контроля требуется метрологическое оборудование.
Линейность размера – параметр, определяющий, насколько меняется точность воспроизведения размера для различных номинальных значений. Линейность сканирования определяет, как изменяется точность критического размера на различных участках рабочего поля. В принципе эти два параметра можно контролировать там же, где контролируется точность размера, но лучше использовать специальное оборудование.
Контроль совмещаемости элементов различных слоев – вторая из двух операций, используемых для контроля качества оригиналов топологии на фотошаблонах. Как и измерение микроразмеров, эта операция применяется выборочно и служит для отработки техпроцесса. Для измерения параметров используется специальное контрольно-измерительное оборудование.
Операция очистки поверхности фотошаблона выполняется для удаления пыли и грязи с рабочей поверхности фотошаблона. Она проводится на установке механической и мегазвуковой очистки.
Контроль рисунка фотошаблона на соответствие проектным данным – основная операция контроля, выполняемая для всех фотошаблонов (100%-ный контроль) путем сравнения параметров рисунка фотошаблона с проектными данными. Этот метод позволяет обнаруживать все типы дефектов согласно классификации SEMI. Контроль топологии проводится после операций травления и отмывки фотошаблона и повторяется после операции исправления дефектов. Заключительная операция контроля топологии проводится после защиты фотомаски пленкой (пеликлом).
Устранение всех дефектов маскирующего покрытия проводится на лазерной установке, устраняющей прозрачные и непрозрачные дефекты. Последние устраняются испарением остатков маскирующего покрытия импульсным лазером, а первые – лазерно-стимулированным осаждением металлоорганического вещества из газообразной фазы.
Финишная отмывка фотошаблона обеспечивает удаление пыли и грязи с рабочей поверхности фотошаблона. Эта операция также проводится на установке механической и мегазвуковой очистки.
Закрытие поверхности фотошаблона пеликлами и контроль на наличие дефектов на фотошаблоне и пеликле позволяет исключить попадание инородных частиц на поверхность фотошаблона при его эксплуатации.
Ситуация меняется при использовании таких элементов техники RET, как внесение в топологию элементов коррекции оптической близости (OPC) и использование фазосдвигающих элементов. Размер элементов OPC, включаемых в топологию для коррекции формы, меньше разрешения оптической системы мультипликатора. Эти элементы не прорабатываются его оптикой, оказывая лишь косвенное влияние на основные элементы. Размеры вспомогательных элементов могут составлять половину или треть проектной нормы. С учетом этого генератор с минимальным элементом 0,6 мкм может работать с нормами от 0,3 (0,15×2) до 0,45 (0,15×3) мкм. При размере вспомогательного элемента 400 нм генератор может уверенно работать с нормами 0,35 мкм. Для генератора с минимальным элементом 0,2 мкм соответственно получаем нормы от 0,10 (0,05×2) до 0,15 (0,05×3) мкм, а с учетом размера вспомогательного элемента 150 нм – возможность работы с нормами до 90 нм.
Комплекты оборудования для производства фотошаблонов уровня 0,35 мкм и 0,90 нм
Освоенный сегодня в производстве отечественный комплект оборудования бездефектного изготовления фотошаблонов уровня 0,35 мкм состоит из многоканального лазерного генератора изображений ЭМ-5189, установки автоматического контроля топологии ЭМ-6029Б (ЭМ-6329) и установки лазерного устранения дефектов ЭМ-5001Б (см. рисунок). Основные технические характеристики этого оборудования приведены в табл.2.
В стадии создания находится комплект оборудования для производства фотошаблонов уровня 90 нм. Он состоит из многоканального лазерного генератора изображений ЭМ-5389 с размером минимального элемента 0,2 мкм, установки автоматического контроля топологии ЭМ-6729 с обнаружительной способностью 65 нм и установки лазерного устранения дефектов ЭМ-5131, устраняющей дефекты размером до 0,2 мкм с помощью фемтосекундного импульсного лазера. Основные характеристики этого оборудования приведены в табл.3. Этот комплект оборудования позволит изготовлять фотошаблоны перечисленных ниже типов:
* традиционные бинарные фотошаблоны (типа CoG);
* полутоновые фотошаблоны (типа EPSM), изготовленные, например, из комбинаций материалов: Mo+Si или Cr+O2+N;
* фотошаблоны с переменным фазовым сдвигом, изготовленные с помощью технологии травления кварца (AltPSM);
* фотошаблоны с элементами OPC (jogs, serifs и др.) с размерами, меньшими, чем разрешение установки совмещения и мультипликации, используемой для переноса изображения с фотошаблона на п/п пластину.
Одно из важных преимуществ отечественного оборудования – возможность обеспечить технологическую безопасность процесса изготовления топологии ИС. Оно позволяет гарантировать отсутствие преднамеренных искажений топологической информации, вызванных, например, закладкой структур, которые активируются при определенных условиях. Этот аспект наиболее важен при изготовлении ИС спецназначения.
Для лучшей совместимости и эффективности работы все установки проектируются как единый комплекс, что обеспечивает им ряд следующих преимуществ.
* Полная совместимость координатных систем разных установок комплекса за счет применения однотипных интерферометров и реализации единых алгоритмов управления перемещениями координатного стола. Используется однотипная система линейных шаговых двигателей и интерферометрических датчиков линейных перемещений (на базе двухчастотных лазеров). Это позволяет существенно сократить число ложных ошибок, вызванных отклонением траекторий координатных столов генератора изображений и установки контроля топологии от заданных, что повышает достоверность контроля. Появляется возможность более точного выхода в зону дефектов, что упрощает ремонт маски фотошаблона. Реализуются единые подходы к построению алгоритмов компенсации погрешностей координатных систем, что улучшает воспроизводимость отработки перемещений на различных установках.
* Возможность создания единой системы преобразования проектных данных при построении изображения генератора изображений и установки контроля топологии. Эта система включает единую подсистему формирования припусков на размеры элементов топологии. Совместимость проектных данных генераторов изображений и установки контроля топологии реализуется не только на уровне форматов данных, но и алгоритмов обработки (например, алгоритмов округления координат элементов и формирования огибающих контуров). Генератор изображений и установка контроля топологии оснащаются однотипными системами векторно-растрового преобразования, позволяющими переходить при проектировании от абстрактных координат к самим объектам, что существенно уменьшает число ложных дефектов при контроле топологии.
Данное оборудование также обеспечивает:
* возможность гибкого изменения форматов данных о дефектах для установок контроля и ремонта фотошаблонов;
* возможность разработки систем управления на единой элементной базе;
* возможность разработки общих интерфейсов и библиотек ПО;
* снижение себестоимости разработки и изготовления благодаря унификации систем управления, ПО и отдельных узлов оптико-механических устройств;
* упрощение технического обслуживания установок благодаря построению единой системы тестирования оборудования.
Выводы
Разработан и освоен в производстве комплект отечественного оптико-механического оборудования, обеспечивающий изготовление фотошаблонов для производства ИС уровня 0,35 мкм. В стадии разработки находится комплект уровня 90 нм. Интегрированный подход к созданию такого оборудования дает ряд преимуществ, обеспечивающих максимальную эффективность затрат.
Литература
1. S.Avakaw. High productivity object-oriented defect detection algorithms for the new modular die-to-database reticle inspection platform. – SPIE, 2005, v.5835, p.290–299.
2. W.Broadbent et al. Results from a new die-to-database reticle inspection platform. – Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXI, C.N.Archie, Ed., Proc. of SPIE, 2007, v.6518, p.651821.
3. S.Avakaw, A.Korneliuk, A.Tsitko. A prospective modular platform of the mask pattern automatic inspection using the die-to-database method. – SPIE, 2005, v.5853, p.965–976.
4. A.Kwok-Kit Wong. Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography. – SPIE Press, USA, 2001, 213p.
5. U.Behringer. Foreword of the 19th European Mask Conference on Mask Technology for IC and Micro-Components. – GMM-Conf., Jan. 13-15, 2003, Sonthofen, Germany, pp.1–2.
Отзывы читателей
