eng
Выпуск #3/2009
М.Ларионов,Ф.Даузингер, Ш.Зоммер, А.Гизен.
Лазеры на тонких дисках. Принцип работы и применение
Лазеры на тонких дисках. Принцип работы и применение
Просмотры: 3576
Лазеры на тонких дисках генерируют излучение высочайшей мощности. Используя одни и те же стандартные элементы, можно получать импульсы разной длительности. Практически прямоугольное распределение плотности излучения в фокусе и нечувствительность излучателя к отражению света определяют преимущества использования таких лазеров в металлообработке.
Лазеры на тонких дисках разрабатываются в Штутгарте начиная с 1992 года в группе под руководством доктора Гизена [1,2]. Эта технология уже прошла путь от лаборатории до промышленного использования в некоторых компаниях. Большинство из них находятся в Германии. Понятие "лазер на тонких дисках", как и английское "thin disk laser", отражает цилиндрическую симметрию лазера и является переводом немецкого слова "Scheibenlaser". Конечно же, активный материал может иметь и прямоугольную форму. Отличительной особенностью такого лазера является толщина активной среды, которая во много раз меньше поперечного размера накачиваемой активной области. Диаметр активной области варьируется от 1 мм для лазеров с низкой выходной мощностью до 10 мм и более для получения лазеров с выходной мощностью в десятки киловатт. Толщина активной среды меняется обычно от 100 мкм до 300 мкм. Малая толщина активного материала позволяет эффективно охлаждать и отводить большой тепловой поток без значительного повышения температуры. Поэтому лазеры на тонких дисках способны генерировать излучение высочайшей мощности.
Устройство активного элемента
Сердцем лазера является его активный элемент – тонкий диск. Малая толщина лазерного материала требует использования подложки, чтобы придать конструкции необходимую жесткость. На рис.1а показана наиболее распространенная конфигурация активного элемента лазера. На верхнюю сторону диска нанесено просветляющее покрытие, а на нижнюю – зеркальное покрытие для отражения излучения накачки и генерируемого излучения. Диск закреплен на подложке зеркальной стороной. В средней части диска создается инверсия заселенности путем накачки лазерными диодами. Достигаемая плотность излучения накачки несколько кВт на см2. Выделяющееся в лазерном материале тепло отводится через зеркальное покрытие в подложку и удаляется водяным охлаждением. Таким образом, накачанный диск представляет собой усиливающее зеркало, которое заменяет одно из зеркал резонатора. На рис.1б показан напаянный на подложку диск. Данный диск может использоваться для мощности накачки в 1 кВт и позволяет получить выходную мощность до 700 Вт. Диаметр активной области на диске составит в этом случае около 5 мм.
Многопроходная схема накачки
Поглощение излучения накачки при отражении на диске составляет около 15–20%. Для получения высокого КПД в лазере используется многопроходная схема накачки (обычно 16–32 прохода). При использовании этой схемы до 90% излучения накачки поглощается в диске. Существует много способов реализации многопроходной накачки. Однако повсеместно используется квантрон, состоящий из параболического зеркала и нескольких плоских зеркал. Одна из возможных конструкций показана на рис.2. Паралельный пучок излучения накачки фокусируется параболическим зеркалом на диск. Часть излучения поглощается, а оставшаяся часть попадает снова на параболическое зеркало и преобразуется в параллельный пучок, который направляется на следующий сегмент параболического зеркала с помощью двух плоских зеркал. Фокусировка, поглощение и коллимация пучка повторяются до тех пор, пока вся поверхность параболического зеркала не будет использована. Так как расстояние, проходимое излучением накачки между двумя отражениями на параболическом зеркале, равно удвоенному фокусному расстоянию, размеры пучка на параболическом зеркале равны для всех отражений. То же самое верно для лазерного диска. После заполнения всей поверхности параболического зеркала направление распространения излучения накачки изменяется на противоположное. Тогда весь путь проходится в обратную сторону, удваивая количество проходов.
Используя этот принцип, можно реализовать практически любое четное количество проходов излучения накачки. Ограничением являются только потери на рассеяние и пропускание в зеркалах. Они приводят к тому, что после достижения некоего оптимального числа проходов поглощение престает значительно увеличиваться. Небольшой рост мало заметен после дальнейшего увеличения числа проходов. Все оптические элементы в квантроне жестко закреплены и не требуют настройки.
На рис.3 показаны примеры двух квантронов, спроектированных для разных мощностей накачки. Такие квантроны не требуют от излучения накачки высокого качества луча. Так, квантрон, изображенный на рис.3а, может использовать излучение с параметром распространения (beam parameter product, равный произведению радиуса луча на его расходимость) 240 мм•мрад. Таким образом, оптоволокно с диаметром 1 мм и больше может применяться для транспортировки излучения. Это значительно увеличивает КПД диодов накачки. Квантрон, изображенный на рис.3б, предназначен для излучения накачки мощностью в десятки киловатт. Параметр распространения пучка излучения накачки в этом случае может достигать 1000 мм•мрад. Тогда применение оптоволокон технически не оправдано, и излучение лазерных диодов используется напрямую. Предварительно оно "перемешивается" в стеклянном стержне большого диаметра, что обеспечивает однородное распределение плотности накачки. Низкие требования к излучению накачки позволяют существенно снизить стоимость лазеров на тонких дисках.
Обычно для накачки применяются сборки лазерных диодов, а не отдельные излучатели. Излучение одной или нескольких диодных сборок собирается в многомодовое оптоволокно или стекляный стержень и доставляется в квантрон. Срок службы подобных сборок составляет от 10000 до 30000 часов. Последние инженерные достижения в конструкции сборок позволяют увеличить срок службы до 50000 часов. Также можно использовать и отдельные эмиттеры с волоконным выходом, собранные в единый корпус. Для накачки отдельные волокна должны быть соединены в одно большое оптоволокно или в стержень.
Особенности лазеров на тонких дисках
Эффективное охлаждение активного материала позволяет использовать легирование ионами иттербия с практически трехуровневой энергетической схемой. Иттербий часто используют в лазерах из-за малой разницы энергий фотонов накачки и выходного излучения. Это позволяет уменьшить нагрев лазерного материала и увеличить КПД. В сравнении с неодимом (при накачке лазерными диодами с длиной волны излучения 808 нм) нагрев материала за счет разницы энергий фотонов уменьшается в два раза в случае использования иттербия. Ионы иттербия размещаются обычно в матрице граната (YAG), свойства которого хорошо известны. Работа лазеров на основе примеси неодима (Nd:YAG) доказала, что гранат обладает превосходными механическими и тепловыми свойствами. Кроме иттербия в экспериментах с лазерами на тонких дисках были использованы также и другие ионы: неодим, гольмий, тулий и эрбий. Промышленность испытывает потребность в излучателях с высокой выходной мощностью в среднем инфракрасном диапазоне. К тому же излучение с длиной волны λ = 2 мкм безопасно. Это подталкивает разработчиков лазеров к использованию альтернативных активных ионов. Однако в коммерческих лазерах на тонких дисках используются только иттербий и неодим.
Выходная мощность лазера может быть увеличена просто, путем увеличения площади активной области на диске. Объясняется это тем, что такие важные физические параметры, как температура поверхности, механические напряжения, плотность излучения на диске и т. п., остаются неизменными при увеличении площади активной области, если плотность накачки не меняется. Основным фактором, ограничивающим выходную мощность (кроме технологических сложностей), является усиление спонтанного излучения в активной области. Математическое моделирование прогнозирует максимальную выходную мощность из одного диска порядка нескольких мегаватт [3].
Недавно фирма "Боинг" продемонстрировала излучатель с выходной мощностью в 25 кВт и качеством луча (М2), близким к 1 [4]. Лазеры на тонких дисках являются поэтому основными кандидатами для таких "проектов будущего", как передача энергии из космоса на Землю и подпитка космических челноков. Известно, что с удалением космических кораблей от Солнца встают проблемы пополнения запасов энергии, ведь эффект от использования солнечных батарей исчезает.
КПД излучателя зависит от режима работы. В многомодовом режиме работы с несколькими поперечными модами в резонаторе (М2>10) оптический КПД (выходная мощность, деленная на мощность накачки) достигает 70%. Для подсчета КПД всего излучателя должны быть учтены КПД лазерных диодов (примерно 50%) и остальные потребители энергии, такие как теплообменник. Общий КПД излучателей фирмы TRUMPF превышает 25%.
Следующим важным преимуществом тонких дисков является очень слабое фазовое искажение при больших мощностях накачки (тепловая линза). Сферическая часть фазового изменения соответствует линзе с фокусным расстоянием в несколько метров. Действием такой линзы можно пренебречь. Сравните ее с типичными тепловыми линзами, возникающими в лазерах, использующих в качестве активного элемента стержни. Их фокусные расстояния составляют всегодесятки сантиметров. Амплитуда фазовых искажений более высокого порядка (за вычетом сферических аберраций) обычно меньше 100 нм. Эти искажения сосредоточены на краю активной области. Благодаря столь слабому искажению фазы излучатели на тонких дисках могут достигать высокой выходной мощности в одномодовом (ТЕМ00) режиме работы с высоким КПД. Конечно, дифракция на фазовых искажениях и неполное соответсвие распределений плотности накачки и интенсивности моды ТЕМ00 уменьшают КПД по сравнению с многомодовым режимом. Типичные значения КПД составляют 30–40%.
Технология изготовления лазеров на тонких дисках кардинально отличается от широко распространенной технологии оптоволоконных лазеров. В оптоволоконных лазерах оптический резонатор создается выходными поверхностями волокна или дифракционными решетками внутри оптоволокна. При использовании одномодового оптоволокна, автоматически получается лазер с одной поперечной модой. В лазерах на тонких дисках резонатор создается несколькими зеркалами. Выбор количества поперечных мод в резонаторе происходит с помощью выбора размера основной моды резонатора на диске. Для одномодового режима работы размер моды ТЕМ00 должен быть немного меньше размера активной области. Обычно общая длина резонатора составляет от одного до нескольких метров. Для надежной работы в течение долгого времени оправы зеркал и несущая конструкция должны быть жесткими и стабильными. Луч в резонаторе распространяется в воздухе, а не в оптоволокне, поэтому необходим чистый неподвижный воздух без пыли внутри резонатора. Эти технологические требования были успешно решены несколькими немецкими компаниями: Jenoptik, TRUMPF и другими.
Для излучателей с выходной мощностью в несколько киловатт простота и относительная дешевизна накачки делают технологию тонких дисков конкурентоспособной. Однако лазеры на тонких дисках, работающие в непрерывном режиме и имеющие выходную мощность в несколько сот ватт и ниже, явно неконкурентоспособны. Причина кроется в сложности их конструкции. Но ситуация резко меняется, когда от выходного излучения требуется поляризованность и узкий спектр.
Основным достоинством тонких дисков является неограниченная площадь активной области на диске. Это очень важно для приложений, требующих высокой выходной мощности и высокой импульсной энергии. В этих областях уже заметна роль, которую играют излучатели на тонких дисках. В будущем лазеры на тонких дисках займут свою нишу на рынке в тех приложениях, где требуется луч хорошего качества. По прогнозам аналитиков они способны удерживать свои позиции там, где требуется излучение со средней мощностью, превосходящей несколько десятков ватт.
Детальное описание преимуществ тонких дисков как активного элемента лазера можно найти в работах [1, 2]. Мы же кратко перечислим их достоинства. Во-первых, это очень низкая термонаведенная деполяризация. Излучатель на тонких дисках с поляризованным выходным излучением почти так же эффективен, как и излучатель со случайной поляризацией. Это позволяет, в частности, создавать регенеративные усилители с высоким КПД. Во-вторых, отсутствие эффектов, связанных с высокой плотностью излучения, например рассеяния Брилюэна и Рамана, позволяет достичь узкой спектральной ширины выходого излучения. В-третьих, узкий спектр излучения позволяет эффективно изменять частоты (генерация гармоник) в нелинейном кристалле. Четвертое преимущество – это отсутствие фазовой модуляции в диске при генерации пикосекундных и фемтосекундных импульсов, что позволяет усиливать короткие импульсы без их предварительного удлинения (stretching).
Распространенные схемы импульсных лазеров
Преимущества лазеров на тонких дисках проявляются особенно сильно в импульсном режиме работы. Как уже было сказано выше, энергия импульса не ограничивается поперечным размером активной среды, как, например, в оптоволоконных лазерах. Напротив, диаметр активной области на диске может быть выбран таким образом, чтобы избежать не только повреждения поверхности, но и нелинейных эффектов в активном материале. Ограничивающим фактором для энергии выходного импульса является усиление спонтанного излучения (ASE) в плоскости диска, перпендикулярно к лазерному лучу. В лазере на одном диске, используя стандартные покрытия, можно достичь максимальной энергии в несколько джоулей. Для этого диск из граната без примесей (undoped cap) соединяют диффузией с активным тонким диском со стороны просветляющего покрытия (см.рис.1а). Специальное покрытие поглощает спонтанное излучение, распространяющееся под разными углами относительно перпендикуляра к поверхности диска. А простое использование нескольких дисков позволяет легко преодолеть это ограничение.
Средняя мощность в 100 Вт легко достигается во всех импульсах, любой длительности, кроме сверхкоротких (<800 фс). Частота повторения ограничивается только динамикой лазера. На данный момент максимальная частота повторения в 1 Мгц была продемострирована лазерами на тонких дисках с модуляцией добротности. Однако это далеко не предел возможного. Импульсные лазеры, использующие Yb:YAG в качестве активного материала, обычно работают неустойчиво при частоте повторения между 20 кГц и 100 кГц, энергия импульса изменяется от импульса к импульсу при постоянной средней мощности. Простая электронная схема стабилизации позволяет, однако, избежать этой проблемы.
Широкий ряд длин импульсов может быть получен при использовании одних и тех же стандартных элементов лазера. Это иллюстрируется рис.4, где показаны основные элементы, необходимые для построения лазера с заданной длительностью импульса. Все схемы генерации используют, по крайней мере, один квантрон с тонким диском (disk module) и лазерный диод накачки. В общем случае генерация более коротких импульсов сложна и цена лазера увеличивается. Рис.5 суммирует результаты, демонстрируемые коммерческими системами и достигнутые в лабораториях с использованием тонких дисков в качестве активного элемента лазера. Использованные схемы получения импульсов (рис.6) будут детально обсуждены далее. Самый простой способ получить импульсный режим в лазерах на тонких дисках – это модуляция тока лазерных диодов накачки. У лазеров, использующих Yb:YAG, в этом случае длительность импульса измеряется миллисекундами. Тогда импульсная мощность превышает мощность работы лазера в непрерывном режиме в несколько раз.
Модуляция добротности (МД)
Для модуляции добротности резонатора, которая требует внесения в резонатор дополнительных потерь, препятствующих генерации между импульсами, обычно используется акусто-оптический модулятор. Ультразвуковые волны создают в материале модулятора (обычно кварцевое стекло) дифракционную решетку. Она вызывает отклонение луча в резонаторе и создает потери. Энергия, сохраненная в диске, выделяется в виде одного импульса. Мощность на выходе излучателя пропорциональна мощности в резонаторе, коэффициент пропорциональности равен пропусканию выходного зеркала и обычно составляет порядка 10%. Длительность выходного импульса зависит от многих факторов: от длины резонатора, усиления тонкого диска, пропускания выходного зеркала и т.д. Обычно величина длительности лежит в диапазоне 300 нс – 1 мкс. Более короткие импульсы требуют короткого резонатора. Но технически это сложно реализовать, когда средняя мощность превышает 50 Вт. А это та величина, которая коммерчески интересна. Длительность импульса и энергия зависят также от частоты повторения и не могут изменяться независимо друг от друга. Поляризация излучения может быть как случайной, так и линейной, в зависимости от потребности.
Альтернативная схема МД (Cavity dumping)
Обычно в этой схеме в резонатор добавляется электрооптический ключ (ячейка Поккельса) и поляризатор. Поэтому излучение имеет линейную поляризацию. Можно также использовать акустооптический затвор. Но такая схема не позволит гибко менять выходные параметры, как схема с ячейкой Поккельса. Добротность резонатора между импульсами снижена, и инверсия заселенности в активном элементе нарастает. Затем внесенные потери выключаются, и спонтанное излучение, попавшее в моду резонатора, усиливается. В отличие от модуляции добротности, все зеркала резонатора глухие, так что потери резонатора определяются только несовершенством оптических элементов и составляют обычно несколько процентов. После достижения заданной энергии резонатор "открывается", и энергия, сохраненная в резонаторе, выходит одним импульсом. Его длительность определяется длиной резонатора и временем переключения ключа. Она постоянна и не зависит от режима работы лазера. Обычно длительность импульса составляет 20–30 нс.
Гибкость схемы с использованием электрооптического ключа проявляется в режиме работы, когда потери в резонаторе модулируются не полностью, как описано выше, а частично. То есть резонатор частично открыт во время нарастания энергии в резонаторе и/или ключ при достижении заданной энергии "открывает" резонатор не полностью. Так что накопленная энергия выходит из резонатора за несколько проходов. В данном режиме работы длительность импульса задается параметрами переключения оптического ключа. Пользователь может изменять ее от 20 нс до нескольких микросекунд.
Регенеративный усилитель
Схема регенеративного усилителя внешне мало отличается от предыдущей схемы. Между импульсами потери в резонаторе регенеративного усилителя таковы, что предотвращают генерацию. Энергия накапливается в активном элементе. Выключение потерь и впускание исходного импульса синхронизованы. Это необходимо, чтобы исходный импульс оказался запертым в усилителе, когда резонатор окажется высокодобротным после выключения потерь. После усиления (обычно 50 проходов резонатора достаточно для усиления в 100000 раз) импульс покидает регенеративный усилитель через разделитель, построенный обычно с помощью эффекта Фарадея. Так как усиление регенеративного усилителя достаточно велико, усиление может производиться одноступенчатым усилителем. Усилители для генерации наносекундных и пикосекундных импульсов практически не отличаются. Усилитель воспроизводит длительность и форму импульса, заданые исходным импульсом. Спектр излучения также сохраняется при усилении, что дает возможность генерации импульсов с малой шириной спектра (несколько пикометров) и перестраиваемой длиной волны.
Генерация субпикосекундных импульсов требует соответствующей ширины спектра усиления лазерного материала. Применение граната с примесью иттербия (Yb:YAG) позволяет достичь длительности импульса в 800 фс. Для получения более коротких импульсов можно использовать анизотропные или частично неупорядоченные среды. Например, калий-иттриевый вольфрамат с примесью иттербия (Yb:KYW) [5] позволяет создать импульс длительностью менее 250 фс. За время усиления дисперсия суммируется. Чтобы получить короткие импульсы, менее 1 пс, ее надо скомпенсировать. Дисперсия происходит в основном в ячейке Поккельса, так как это наиболее протяженный элемент в резонаторе, и составляет в сумме около 40000 фс2. Поэтому компенсация может быть произведена двумя дифракционными решетками с малой плотностью линий (например 600 линий на 1 мм), расположенными на коротком расстоянии 10–20 см. Такое устройство значительно проще и надежнее, чем обычно применяемые компрессоры [6].
Синхронизация мод
Синхронизация мод может быть осуществлена с помощью полупроводникового просветляющегося фильтра (SESAM) [7]. Оба основных элемента лазера – тонкий диск и просветляющийся фильтр – похожи по строению. Оба имеют малый размер в направлении, параллельном лучу лазера и плоскостное охлаждение. Активная область на обоих элементах может подбираться в соответствии с требуемой мощностью. Настоящий прорыв в достижении средней мощности и энергии, полученной непосредственно из излучателя с синхронизацией мод, дал симбиоз обеих технологий. На рынке уже доступны излучатели с энергией в 1 мкДж и средней мощностью в 50 Вт. Большие импульсные энергии могут быть получены путем удлинения резонатора и снижения частоты повторения импульсов ниже обычных 50 МГц. Экспериментально было показано, что увеличение энергии импульса приводит к существенному увеличению нелинейных эффектов в воздухе, ограничивающих энергию импульсов. Дополнительные меры, такие как использование гелия [8] или увеличение числа отражений на диске за проход резонатора [9], позволили достичь энергии 12 мкДж, а во втором случае – 25 мкДж. Такая энергия достаточна для решения некоторых задач микрообработки. Поэтому для использования лазеров с синхронизацией мод открываются новые возможности.
В следующей части обзора мы рассмотрим особенности применения лазеров на тонких дисках, работающих в импульсном и непрерывном режимах.
Литература
1. Giesen А., Huegel H., Voss A. et al. Scalable concept for diode-pumped high-power solid-state lasers. – Appl. Phys. B, v. 58, p. 365, 1994.
2. Giesen A., Speiser J. Fifteen years of work on thin-disk lasers: Results and scaling laws. – IEEE Journal of Sel. Topics in Quantum Electronics, 2007, v. 13, p. 598.
3. Speiser J. Scaling of thin-disk lasers – influence of amplified spontaneous emission. – Journal of Optical Society of AmericaB, 2009, v. 26, p. 26.
4. Boeing fires new thin-disk laser at high average power and beam quality. –Laser Focus World, 2008, June.
5. Larionov M., Giesen A. 50-kHz, 400-μJ, sub-100-fs pulses from a thin disk laser amplifier.–Photonics West 2009.
6. Strickland D., Mourou G. Compression of amplified chirped optical pulses. – Optics Communications, 1985,
v. 56, p. 219.
7. Keller U., Weingarten K, Kaertner F. et al. Semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) for femtosecond to nanosecond pulse generation in solid-state lasers. – IEEE J. Sel. Top. Quant, 1996, v.2, p. 435.
8. Marchese S., Baer C., G. Engqvist A. et al. Femtosecond thin disk laser oscillator with pulse energy beyond the 10-microjoule level. –Opt. Express, 2008, v. 16, p. 6397.
9. Neuhaus J., Bauer D., Zhang J. et al. Subpicosecond thin-disk laser oscillator with pulse energies of up to 25.9 microjoules by use of an active multipass geometry.– Opt. Express, 2008, v. 16, p. 20530.
Устройство активного элемента
Сердцем лазера является его активный элемент – тонкий диск. Малая толщина лазерного материала требует использования подложки, чтобы придать конструкции необходимую жесткость. На рис.1а показана наиболее распространенная конфигурация активного элемента лазера. На верхнюю сторону диска нанесено просветляющее покрытие, а на нижнюю – зеркальное покрытие для отражения излучения накачки и генерируемого излучения. Диск закреплен на подложке зеркальной стороной. В средней части диска создается инверсия заселенности путем накачки лазерными диодами. Достигаемая плотность излучения накачки несколько кВт на см2. Выделяющееся в лазерном материале тепло отводится через зеркальное покрытие в подложку и удаляется водяным охлаждением. Таким образом, накачанный диск представляет собой усиливающее зеркало, которое заменяет одно из зеркал резонатора. На рис.1б показан напаянный на подложку диск. Данный диск может использоваться для мощности накачки в 1 кВт и позволяет получить выходную мощность до 700 Вт. Диаметр активной области на диске составит в этом случае около 5 мм.
Многопроходная схема накачки
Поглощение излучения накачки при отражении на диске составляет около 15–20%. Для получения высокого КПД в лазере используется многопроходная схема накачки (обычно 16–32 прохода). При использовании этой схемы до 90% излучения накачки поглощается в диске. Существует много способов реализации многопроходной накачки. Однако повсеместно используется квантрон, состоящий из параболического зеркала и нескольких плоских зеркал. Одна из возможных конструкций показана на рис.2. Паралельный пучок излучения накачки фокусируется параболическим зеркалом на диск. Часть излучения поглощается, а оставшаяся часть попадает снова на параболическое зеркало и преобразуется в параллельный пучок, который направляется на следующий сегмент параболического зеркала с помощью двух плоских зеркал. Фокусировка, поглощение и коллимация пучка повторяются до тех пор, пока вся поверхность параболического зеркала не будет использована. Так как расстояние, проходимое излучением накачки между двумя отражениями на параболическом зеркале, равно удвоенному фокусному расстоянию, размеры пучка на параболическом зеркале равны для всех отражений. То же самое верно для лазерного диска. После заполнения всей поверхности параболического зеркала направление распространения излучения накачки изменяется на противоположное. Тогда весь путь проходится в обратную сторону, удваивая количество проходов.
Используя этот принцип, можно реализовать практически любое четное количество проходов излучения накачки. Ограничением являются только потери на рассеяние и пропускание в зеркалах. Они приводят к тому, что после достижения некоего оптимального числа проходов поглощение престает значительно увеличиваться. Небольшой рост мало заметен после дальнейшего увеличения числа проходов. Все оптические элементы в квантроне жестко закреплены и не требуют настройки.
На рис.3 показаны примеры двух квантронов, спроектированных для разных мощностей накачки. Такие квантроны не требуют от излучения накачки высокого качества луча. Так, квантрон, изображенный на рис.3а, может использовать излучение с параметром распространения (beam parameter product, равный произведению радиуса луча на его расходимость) 240 мм•мрад. Таким образом, оптоволокно с диаметром 1 мм и больше может применяться для транспортировки излучения. Это значительно увеличивает КПД диодов накачки. Квантрон, изображенный на рис.3б, предназначен для излучения накачки мощностью в десятки киловатт. Параметр распространения пучка излучения накачки в этом случае может достигать 1000 мм•мрад. Тогда применение оптоволокон технически не оправдано, и излучение лазерных диодов используется напрямую. Предварительно оно "перемешивается" в стеклянном стержне большого диаметра, что обеспечивает однородное распределение плотности накачки. Низкие требования к излучению накачки позволяют существенно снизить стоимость лазеров на тонких дисках.
Обычно для накачки применяются сборки лазерных диодов, а не отдельные излучатели. Излучение одной или нескольких диодных сборок собирается в многомодовое оптоволокно или стекляный стержень и доставляется в квантрон. Срок службы подобных сборок составляет от 10000 до 30000 часов. Последние инженерные достижения в конструкции сборок позволяют увеличить срок службы до 50000 часов. Также можно использовать и отдельные эмиттеры с волоконным выходом, собранные в единый корпус. Для накачки отдельные волокна должны быть соединены в одно большое оптоволокно или в стержень.
Особенности лазеров на тонких дисках
Эффективное охлаждение активного материала позволяет использовать легирование ионами иттербия с практически трехуровневой энергетической схемой. Иттербий часто используют в лазерах из-за малой разницы энергий фотонов накачки и выходного излучения. Это позволяет уменьшить нагрев лазерного материала и увеличить КПД. В сравнении с неодимом (при накачке лазерными диодами с длиной волны излучения 808 нм) нагрев материала за счет разницы энергий фотонов уменьшается в два раза в случае использования иттербия. Ионы иттербия размещаются обычно в матрице граната (YAG), свойства которого хорошо известны. Работа лазеров на основе примеси неодима (Nd:YAG) доказала, что гранат обладает превосходными механическими и тепловыми свойствами. Кроме иттербия в экспериментах с лазерами на тонких дисках были использованы также и другие ионы: неодим, гольмий, тулий и эрбий. Промышленность испытывает потребность в излучателях с высокой выходной мощностью в среднем инфракрасном диапазоне. К тому же излучение с длиной волны λ = 2 мкм безопасно. Это подталкивает разработчиков лазеров к использованию альтернативных активных ионов. Однако в коммерческих лазерах на тонких дисках используются только иттербий и неодим.
Выходная мощность лазера может быть увеличена просто, путем увеличения площади активной области на диске. Объясняется это тем, что такие важные физические параметры, как температура поверхности, механические напряжения, плотность излучения на диске и т. п., остаются неизменными при увеличении площади активной области, если плотность накачки не меняется. Основным фактором, ограничивающим выходную мощность (кроме технологических сложностей), является усиление спонтанного излучения в активной области. Математическое моделирование прогнозирует максимальную выходную мощность из одного диска порядка нескольких мегаватт [3].
Недавно фирма "Боинг" продемонстрировала излучатель с выходной мощностью в 25 кВт и качеством луча (М2), близким к 1 [4]. Лазеры на тонких дисках являются поэтому основными кандидатами для таких "проектов будущего", как передача энергии из космоса на Землю и подпитка космических челноков. Известно, что с удалением космических кораблей от Солнца встают проблемы пополнения запасов энергии, ведь эффект от использования солнечных батарей исчезает.
КПД излучателя зависит от режима работы. В многомодовом режиме работы с несколькими поперечными модами в резонаторе (М2>10) оптический КПД (выходная мощность, деленная на мощность накачки) достигает 70%. Для подсчета КПД всего излучателя должны быть учтены КПД лазерных диодов (примерно 50%) и остальные потребители энергии, такие как теплообменник. Общий КПД излучателей фирмы TRUMPF превышает 25%.
Следующим важным преимуществом тонких дисков является очень слабое фазовое искажение при больших мощностях накачки (тепловая линза). Сферическая часть фазового изменения соответствует линзе с фокусным расстоянием в несколько метров. Действием такой линзы можно пренебречь. Сравните ее с типичными тепловыми линзами, возникающими в лазерах, использующих в качестве активного элемента стержни. Их фокусные расстояния составляют всегодесятки сантиметров. Амплитуда фазовых искажений более высокого порядка (за вычетом сферических аберраций) обычно меньше 100 нм. Эти искажения сосредоточены на краю активной области. Благодаря столь слабому искажению фазы излучатели на тонких дисках могут достигать высокой выходной мощности в одномодовом (ТЕМ00) режиме работы с высоким КПД. Конечно, дифракция на фазовых искажениях и неполное соответсвие распределений плотности накачки и интенсивности моды ТЕМ00 уменьшают КПД по сравнению с многомодовым режимом. Типичные значения КПД составляют 30–40%.
Технология изготовления лазеров на тонких дисках кардинально отличается от широко распространенной технологии оптоволоконных лазеров. В оптоволоконных лазерах оптический резонатор создается выходными поверхностями волокна или дифракционными решетками внутри оптоволокна. При использовании одномодового оптоволокна, автоматически получается лазер с одной поперечной модой. В лазерах на тонких дисках резонатор создается несколькими зеркалами. Выбор количества поперечных мод в резонаторе происходит с помощью выбора размера основной моды резонатора на диске. Для одномодового режима работы размер моды ТЕМ00 должен быть немного меньше размера активной области. Обычно общая длина резонатора составляет от одного до нескольких метров. Для надежной работы в течение долгого времени оправы зеркал и несущая конструкция должны быть жесткими и стабильными. Луч в резонаторе распространяется в воздухе, а не в оптоволокне, поэтому необходим чистый неподвижный воздух без пыли внутри резонатора. Эти технологические требования были успешно решены несколькими немецкими компаниями: Jenoptik, TRUMPF и другими.
Для излучателей с выходной мощностью в несколько киловатт простота и относительная дешевизна накачки делают технологию тонких дисков конкурентоспособной. Однако лазеры на тонких дисках, работающие в непрерывном режиме и имеющие выходную мощность в несколько сот ватт и ниже, явно неконкурентоспособны. Причина кроется в сложности их конструкции. Но ситуация резко меняется, когда от выходного излучения требуется поляризованность и узкий спектр.
Основным достоинством тонких дисков является неограниченная площадь активной области на диске. Это очень важно для приложений, требующих высокой выходной мощности и высокой импульсной энергии. В этих областях уже заметна роль, которую играют излучатели на тонких дисках. В будущем лазеры на тонких дисках займут свою нишу на рынке в тех приложениях, где требуется луч хорошего качества. По прогнозам аналитиков они способны удерживать свои позиции там, где требуется излучение со средней мощностью, превосходящей несколько десятков ватт.
Детальное описание преимуществ тонких дисков как активного элемента лазера можно найти в работах [1, 2]. Мы же кратко перечислим их достоинства. Во-первых, это очень низкая термонаведенная деполяризация. Излучатель на тонких дисках с поляризованным выходным излучением почти так же эффективен, как и излучатель со случайной поляризацией. Это позволяет, в частности, создавать регенеративные усилители с высоким КПД. Во-вторых, отсутствие эффектов, связанных с высокой плотностью излучения, например рассеяния Брилюэна и Рамана, позволяет достичь узкой спектральной ширины выходого излучения. В-третьих, узкий спектр излучения позволяет эффективно изменять частоты (генерация гармоник) в нелинейном кристалле. Четвертое преимущество – это отсутствие фазовой модуляции в диске при генерации пикосекундных и фемтосекундных импульсов, что позволяет усиливать короткие импульсы без их предварительного удлинения (stretching).
Распространенные схемы импульсных лазеров
Преимущества лазеров на тонких дисках проявляются особенно сильно в импульсном режиме работы. Как уже было сказано выше, энергия импульса не ограничивается поперечным размером активной среды, как, например, в оптоволоконных лазерах. Напротив, диаметр активной области на диске может быть выбран таким образом, чтобы избежать не только повреждения поверхности, но и нелинейных эффектов в активном материале. Ограничивающим фактором для энергии выходного импульса является усиление спонтанного излучения (ASE) в плоскости диска, перпендикулярно к лазерному лучу. В лазере на одном диске, используя стандартные покрытия, можно достичь максимальной энергии в несколько джоулей. Для этого диск из граната без примесей (undoped cap) соединяют диффузией с активным тонким диском со стороны просветляющего покрытия (см.рис.1а). Специальное покрытие поглощает спонтанное излучение, распространяющееся под разными углами относительно перпендикуляра к поверхности диска. А простое использование нескольких дисков позволяет легко преодолеть это ограничение.
Средняя мощность в 100 Вт легко достигается во всех импульсах, любой длительности, кроме сверхкоротких (<800 фс). Частота повторения ограничивается только динамикой лазера. На данный момент максимальная частота повторения в 1 Мгц была продемострирована лазерами на тонких дисках с модуляцией добротности. Однако это далеко не предел возможного. Импульсные лазеры, использующие Yb:YAG в качестве активного материала, обычно работают неустойчиво при частоте повторения между 20 кГц и 100 кГц, энергия импульса изменяется от импульса к импульсу при постоянной средней мощности. Простая электронная схема стабилизации позволяет, однако, избежать этой проблемы.
Широкий ряд длин импульсов может быть получен при использовании одних и тех же стандартных элементов лазера. Это иллюстрируется рис.4, где показаны основные элементы, необходимые для построения лазера с заданной длительностью импульса. Все схемы генерации используют, по крайней мере, один квантрон с тонким диском (disk module) и лазерный диод накачки. В общем случае генерация более коротких импульсов сложна и цена лазера увеличивается. Рис.5 суммирует результаты, демонстрируемые коммерческими системами и достигнутые в лабораториях с использованием тонких дисков в качестве активного элемента лазера. Использованные схемы получения импульсов (рис.6) будут детально обсуждены далее. Самый простой способ получить импульсный режим в лазерах на тонких дисках – это модуляция тока лазерных диодов накачки. У лазеров, использующих Yb:YAG, в этом случае длительность импульса измеряется миллисекундами. Тогда импульсная мощность превышает мощность работы лазера в непрерывном режиме в несколько раз.
Модуляция добротности (МД)
Для модуляции добротности резонатора, которая требует внесения в резонатор дополнительных потерь, препятствующих генерации между импульсами, обычно используется акусто-оптический модулятор. Ультразвуковые волны создают в материале модулятора (обычно кварцевое стекло) дифракционную решетку. Она вызывает отклонение луча в резонаторе и создает потери. Энергия, сохраненная в диске, выделяется в виде одного импульса. Мощность на выходе излучателя пропорциональна мощности в резонаторе, коэффициент пропорциональности равен пропусканию выходного зеркала и обычно составляет порядка 10%. Длительность выходного импульса зависит от многих факторов: от длины резонатора, усиления тонкого диска, пропускания выходного зеркала и т.д. Обычно величина длительности лежит в диапазоне 300 нс – 1 мкс. Более короткие импульсы требуют короткого резонатора. Но технически это сложно реализовать, когда средняя мощность превышает 50 Вт. А это та величина, которая коммерчески интересна. Длительность импульса и энергия зависят также от частоты повторения и не могут изменяться независимо друг от друга. Поляризация излучения может быть как случайной, так и линейной, в зависимости от потребности.
Альтернативная схема МД (Cavity dumping)
Обычно в этой схеме в резонатор добавляется электрооптический ключ (ячейка Поккельса) и поляризатор. Поэтому излучение имеет линейную поляризацию. Можно также использовать акустооптический затвор. Но такая схема не позволит гибко менять выходные параметры, как схема с ячейкой Поккельса. Добротность резонатора между импульсами снижена, и инверсия заселенности в активном элементе нарастает. Затем внесенные потери выключаются, и спонтанное излучение, попавшее в моду резонатора, усиливается. В отличие от модуляции добротности, все зеркала резонатора глухие, так что потери резонатора определяются только несовершенством оптических элементов и составляют обычно несколько процентов. После достижения заданной энергии резонатор "открывается", и энергия, сохраненная в резонаторе, выходит одним импульсом. Его длительность определяется длиной резонатора и временем переключения ключа. Она постоянна и не зависит от режима работы лазера. Обычно длительность импульса составляет 20–30 нс.
Гибкость схемы с использованием электрооптического ключа проявляется в режиме работы, когда потери в резонаторе модулируются не полностью, как описано выше, а частично. То есть резонатор частично открыт во время нарастания энергии в резонаторе и/или ключ при достижении заданной энергии "открывает" резонатор не полностью. Так что накопленная энергия выходит из резонатора за несколько проходов. В данном режиме работы длительность импульса задается параметрами переключения оптического ключа. Пользователь может изменять ее от 20 нс до нескольких микросекунд.
Регенеративный усилитель
Схема регенеративного усилителя внешне мало отличается от предыдущей схемы. Между импульсами потери в резонаторе регенеративного усилителя таковы, что предотвращают генерацию. Энергия накапливается в активном элементе. Выключение потерь и впускание исходного импульса синхронизованы. Это необходимо, чтобы исходный импульс оказался запертым в усилителе, когда резонатор окажется высокодобротным после выключения потерь. После усиления (обычно 50 проходов резонатора достаточно для усиления в 100000 раз) импульс покидает регенеративный усилитель через разделитель, построенный обычно с помощью эффекта Фарадея. Так как усиление регенеративного усилителя достаточно велико, усиление может производиться одноступенчатым усилителем. Усилители для генерации наносекундных и пикосекундных импульсов практически не отличаются. Усилитель воспроизводит длительность и форму импульса, заданые исходным импульсом. Спектр излучения также сохраняется при усилении, что дает возможность генерации импульсов с малой шириной спектра (несколько пикометров) и перестраиваемой длиной волны.
Генерация субпикосекундных импульсов требует соответствующей ширины спектра усиления лазерного материала. Применение граната с примесью иттербия (Yb:YAG) позволяет достичь длительности импульса в 800 фс. Для получения более коротких импульсов можно использовать анизотропные или частично неупорядоченные среды. Например, калий-иттриевый вольфрамат с примесью иттербия (Yb:KYW) [5] позволяет создать импульс длительностью менее 250 фс. За время усиления дисперсия суммируется. Чтобы получить короткие импульсы, менее 1 пс, ее надо скомпенсировать. Дисперсия происходит в основном в ячейке Поккельса, так как это наиболее протяженный элемент в резонаторе, и составляет в сумме около 40000 фс2. Поэтому компенсация может быть произведена двумя дифракционными решетками с малой плотностью линий (например 600 линий на 1 мм), расположенными на коротком расстоянии 10–20 см. Такое устройство значительно проще и надежнее, чем обычно применяемые компрессоры [6].
Синхронизация мод
Синхронизация мод может быть осуществлена с помощью полупроводникового просветляющегося фильтра (SESAM) [7]. Оба основных элемента лазера – тонкий диск и просветляющийся фильтр – похожи по строению. Оба имеют малый размер в направлении, параллельном лучу лазера и плоскостное охлаждение. Активная область на обоих элементах может подбираться в соответствии с требуемой мощностью. Настоящий прорыв в достижении средней мощности и энергии, полученной непосредственно из излучателя с синхронизацией мод, дал симбиоз обеих технологий. На рынке уже доступны излучатели с энергией в 1 мкДж и средней мощностью в 50 Вт. Большие импульсные энергии могут быть получены путем удлинения резонатора и снижения частоты повторения импульсов ниже обычных 50 МГц. Экспериментально было показано, что увеличение энергии импульса приводит к существенному увеличению нелинейных эффектов в воздухе, ограничивающих энергию импульсов. Дополнительные меры, такие как использование гелия [8] или увеличение числа отражений на диске за проход резонатора [9], позволили достичь энергии 12 мкДж, а во втором случае – 25 мкДж. Такая энергия достаточна для решения некоторых задач микрообработки. Поэтому для использования лазеров с синхронизацией мод открываются новые возможности.
В следующей части обзора мы рассмотрим особенности применения лазеров на тонких дисках, работающих в импульсном и непрерывном режимах.
Литература
1. Giesen А., Huegel H., Voss A. et al. Scalable concept for diode-pumped high-power solid-state lasers. – Appl. Phys. B, v. 58, p. 365, 1994.
2. Giesen A., Speiser J. Fifteen years of work on thin-disk lasers: Results and scaling laws. – IEEE Journal of Sel. Topics in Quantum Electronics, 2007, v. 13, p. 598.
3. Speiser J. Scaling of thin-disk lasers – influence of amplified spontaneous emission. – Journal of Optical Society of AmericaB, 2009, v. 26, p. 26.
4. Boeing fires new thin-disk laser at high average power and beam quality. –Laser Focus World, 2008, June.
5. Larionov M., Giesen A. 50-kHz, 400-μJ, sub-100-fs pulses from a thin disk laser amplifier.–Photonics West 2009.
6. Strickland D., Mourou G. Compression of amplified chirped optical pulses. – Optics Communications, 1985,
v. 56, p. 219.
7. Keller U., Weingarten K, Kaertner F. et al. Semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) for femtosecond to nanosecond pulse generation in solid-state lasers. – IEEE J. Sel. Top. Quant, 1996, v.2, p. 435.
8. Marchese S., Baer C., G. Engqvist A. et al. Femtosecond thin disk laser oscillator with pulse energy beyond the 10-microjoule level. –Opt. Express, 2008, v. 16, p. 6397.
9. Neuhaus J., Bauer D., Zhang J. et al. Subpicosecond thin-disk laser oscillator with pulse energies of up to 25.9 microjoules by use of an active multipass geometry.– Opt. Express, 2008, v. 16, p. 20530.
Отзывы читателей
