eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Выпуск #1/2025
Л. А. Мочалов, С. В. Телегин, Е. А. Слаповская
Получение тонких пленок IGZO с помощью метода PECVD и исследование их свойств
Получение тонких пленок IGZO с помощью метода PECVD и исследование их свойств
Просмотры: 133
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.1.62.70
В настоящей работе впервые для получения тонких пленок состава InGaZnO (IGZO) различной стехиометрии, морфологии и фазового состава использовался метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Пленки синтезировались с помощью установки, подробно описанной нами в работах [1–5]. Исходными веществами являлись элементарные высокочистые In, Ga и Zn, газами-носителями – Ar и H2, а в качестве плазмообразующего газа использовали смесь (Ar-H2-O2). Осаждение проводили на подложки из покровного стекла. Методом энергодисперсионного рентгеновского анализа был определен макросоcтав образцов. Полученные образцы были также исследованы методами сканирующей электронной (СЭМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ) и оптической профилометрии. По измерениям эффекта Холла были определены электрические свойства полученных пленок: тип, подвижность и концентрация носителей.
Теги: gas sensors igzo pecvd thin film transistors газовые сенсоры тонкопленочные транзисторы
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В настоящей работе впервые для получения тонких пленок состава InGaZnO (IGZO) различной стехиометрии, морфологии и фазового состава использовался метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Пленки синтезировались с помощью установки, подробно описанной нами в работах [1–5]. Исходными веществами являлись элементарные высокочистые In, Ga и Zn, газами-носителями – Ar и H2, а в качестве плазмообразующего газа использовали смесь (Ar-H2-O2). Осаждение проводили на подложки из покровного стекла. Методом энергодисперсионного рентгеновского анализа был определен макросоcтав образцов. Полученные образцы были также исследованы методами сканирующей электронной (СЭМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ) и оптической профилометрии. По измерениям эффекта Холла были определены электрические свойства полученных пленок: тип, подвижность и концентрация носителей.
Теги: gas sensors igzo pecvd thin film transistors газовые сенсоры тонкопленочные транзисторы
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
