Выпуск #2/2024
М. С. Ковалев, И. М. Подлесных, К. Э. Певчих, С. И. Кудряшов
Планарная фотоника ближнего инфракрасного диапазона на основе сверхлегированного кремния: перспективы
Планарная фотоника ближнего инфракрасного диапазона на основе сверхлегированного кремния: перспективы
Просмотры: 655
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2024.18.2.136.151
Появление кремниевой фотоники за последние два десятилетия создало условия для того, чтобы кремний стал предпочтительной платформой для фотонной интеграции. В этом обзоре мы предлагаем наш взгляд на растущую область интегральной фотоники ближнего инфракрасного диапазона на кремнии и перспективные технологии обеспечения этого роста. Представлен комплексный обзор современного состояния таких ключевых фотонных устройств, как волноводы, источники света и детекторы.
Теги: direct laser beam writing hyperdoped silicon integrated infrared photonics optoelectronics. pulsed laser annealing импульсный лазерный отжиг интегральная фотоника инфракрасного диапазона оптоэлектроника прямая лазерная запись сверхлегированный кремний
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Появление кремниевой фотоники за последние два десятилетия создало условия для того, чтобы кремний стал предпочтительной платформой для фотонной интеграции. В этом обзоре мы предлагаем наш взгляд на растущую область интегральной фотоники ближнего инфракрасного диапазона на кремнии и перспективные технологии обеспечения этого роста. Представлен комплексный обзор современного состояния таких ключевых фотонных устройств, как волноводы, источники света и детекторы.
Теги: direct laser beam writing hyperdoped silicon integrated infrared photonics optoelectronics. pulsed laser annealing импульсный лазерный отжиг интегральная фотоника инфракрасного диапазона оптоэлектроника прямая лазерная запись сверхлегированный кремний
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей