eng
Выпуск #7/2023
А. С. Кадочкин, В. В. Амеличев, С. С. Генералов, Д. В. Горелов
Исследование интегрально-оптического ключа для создания логического элемента, управляемого термическим воздействием на слой Ge2Sb2Te5 (GST)
Исследование интегрально-оптического ключа для создания логического элемента, управляемого термическим воздействием на слой Ge2Sb2Te5 (GST)
Просмотры: 564
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.7.556.564
Представлены результаты модельной экспериментальной оценки возможности управления с помощью внешнего термического воздействия интегрально-оптическим ключом, выполненным в виде кольцевого микрорезонатора с наложенным фазопеременным слоем Ge2Sb2Te5 (GST). Быстрый и обратимый фазовый переход между двумя состояниями – аморфным (a-GST) и кристаллическим (c-GST) – сопровождает большая разность показателей преломления, что может быть использовано в оптических схемах для реализации логических функций.
Представлены результаты модельной экспериментальной оценки возможности управления с помощью внешнего термического воздействия интегрально-оптическим ключом, выполненным в виде кольцевого микрорезонатора с наложенным фазопеременным слоем Ge2Sb2Te5 (GST). Быстрый и обратимый фазовый переход между двумя состояниями – аморфным (a-GST) и кристаллическим (c-GST) – сопровождает большая разность показателей преломления, что может быть использовано в оптических схемах для реализации логических функций.
Теги: gst layer integrated optical switch logical element microresonator optical resonance интегрально-оптический ключ логический элемент микрорезонатор оптический резонанс слой gst
Исследование интегрально-оптического ключа для создания логического элемента, управляемого термическим воздействием на слой Ge2Sb2Te5 (GST)
А. С. Кадочкин, В. В. Амеличев, С. С. Генералов, Д. В. Горелов НПК «Технологический центр», г. Зеленоград, г. Москва, Россия
Представлены результаты модельной экспериментальной оценки возможности управления с помощью внешнего термического воздействия интегрально-оптическим ключом, выполненным в виде кольцевого микрорезонатора с наложенным фазопеременным слоем Ge2Sb2Te5 (GST). Быстрый и обратимый фазовый переход между двумя состояниями – аморфным (a-GST) и кристаллическим (c-GST) – сопровождает большая разность показателей преломления, что может быть использовано в оптических схемах для реализации логических функций.
Ключевые слова: интегрально-оптический ключ, микрорезонатор, слой GST, логический элемент, оптический резонанс
Статья поступила: 04.10.2023
Статья принята: 31.10.2023
Введение
Одним из перспективных путей развития информационных технологий является применение оптических методов обработки информационных сигналов. Оптические методы обладают многочисленными преимуществами по сравнению с электронными: скорость распространения сигнала, возможность мультиплексирования и параллельной обработки информации. Для реализации оптоэлектронных устройств, предназначенных для обработки оптической информации, необходима разработка как пассивных элементов интегрально-оптических схем – волноводов, разветвителей, поляризационных фильтров, пассивных логических элементов, так и активных логических элементов, управляемых внешним воздействием – оптических ключей, являющихся оптическим аналогом транзисторов, работающих в режиме переключения сигналов.
В работе [1] предложены реализации таких устройств, использующих механизм инжекции носителей для переключения состояний в кольцевом резонаторе при помощи внешнего воздействия. Такое воздействие так или иначе основано на изменении эффективного показателя преломления моды, распространяющейся в резонаторе, и может быть осуществлено при помощи инжекции носителей заряда [2], электрооптического [3] или магнитооптического эффекта [4]. Имеется ряд работ [5], в которых предлагается использование так называемых «фазопеременных» (phase-changing) материалов.
В работе [6] для изменения эффективного показателя преломления моды кремниевого микрорезонатора предложено использование материала Ge2Sb2Te5 (GST), наложенного на участок кольцевого микрорезонатора, применяемый в виде тонких пленок GST в технологии оптической записи информации. Такое применение GST обусловлено возможностью протекания в данном материале сверхбыстрых обратимых фазовых превращений (<50 нс), которые происходят между аморфным (a-GST) и кристаллическим (c-GST) состояниями и сопровождаются существенным изменением оптических свойств и удельного электрического сопротивления [1]. Показатель преломления (n) и коэффициент экстинкции (k) являются одними из основных оптических характеристик любого материала. В тонких пленках GST значения этих коэффициентов для a-GST и c-GST сильно различаются (рис. 1).
Исследование оптического переключателя с GST покрытием
На рис. 2 показан общий вид исследованного элемента интегрально-оптической схемы типа «ключ» на основе кольцевого микрорезонатора с сформированным слоем GST. Вставка на рисунке показывает распределение TE0 моды в сечении волновода с наложенным слоем из с-GST и a-GST. В работе [6] сообщается об экспериментальной реализации управляемых кольцевых микрорезонаторов на основе кремния (Si). В отличие от работы [6] в работе [7] в качестве материала резонатора был выбран нитрид кремния (Si3N4).
На сегодняшний день существуют разные материалы для создания элементов интегральной фотоники, каждая из которых имеет свои плюсы и минусы, связанные с наличием или отсутствием необходимых характеристик, требуемых для решения конкретных задач. Выбор Si3N4 обусловлен широким рабочим спектральным диапазоном длин волн, хорошими механическими свойствами, низкими собственными потерями (менее 0,3 дБ/см), отсутствием двухфотонного поглощения в телекоммуникационном диапазоне длин волн, что позволяет достигать высокой плотности оптической мощности внутри волновода. На рис. 3 показана схема исследованного кольцевого микрорезонатора с наложенным сегментом GST 90 градусов. Элемент представляет собой кольцевой микрорезонатор из Si3N4, сформированный на подложке из оксида кремния (SiO2). Поверх кольцевого микрорезонатора наложен 90‑градусный сегмент из слоя GST (красный цвет), который может быть в а-GST или c-GST состоянии. При этом нагрев может осуществляться в зависимости от конструктивных требований, как при помощи внешнего оптического источника (импульсного лазера), так и при помощи расположенного сверху электрического нагревателя.
Возможность управления свойствами мод микрорезонатора основана на том, что при используемой толщине резонатора (d1 = 300 нм) и длине волны (1,55 мкм) распространяющаяся мода не может быть полностью локализована в сечении резонатора, значительная часть ее энергии локализована вне его сечения в виде эванесцентных (экспоненциально затухающих) «хвостов». Поэтому помещение в эту область слоя GST с оптическими свойствами, сильно отличающимися от оптических свойств волновода и окружающей его среды, приводит к изменению эффективного показателя преломления мод волновода. Следует также отметить, что с-GST обладает значительным поглощением, тогда как у a-GST поглощение на телекоммуникационной длине волны около 1,55 мкм близко к нулю (рис. 1). Таким образом, микрорезонатор с наложенным сегментом из a-GST (рис. 2) может поддерживать резонанс с высокой добротностью, а после переключения в с-GST эффективный показатель преломления моды приобретает значительную мнимую часть и резонанс подавляется. При этом существенно меняется сигнал на выходах микрорезонатора, что делает возможным использование такого устройства в качестве переключателя.
Геометрические параметры модели микрорезонатора представлены в таблице.
Проведено моделирование методом конечных временных разностей (FDTD) микрорезонатора из Si3N4 с управляющим элементом из GST. Параметры моделируемой структуры представлены в таблице. На рис. 4 и 5 приведены результаты моделирования. На рис. 4 показаны распределения напряженностей электрических полей |E| для TE0 моды в кольцевом микрорезонаторе. На рис. 5 приведена зависимость коэффициента отражения сигнала от кольцевого микрорезонатора (коэффициент пропускания T12) от длины волны.
Из рисунка 5 видно, что наибольшее значение коэффициента отражения от кольцевого микрорезонатора T12 в случае a-GST составляет 35%, тогда как отражение от кольцевого резонатора в случае c-GST стремится к нулю.
Оценка влияния размера наложенного сегмента GST
Аналогичные расчеты были проведены для сегментов GST 180 и 360 градусов (рис. 6–8 и 9–11).
Результаты и обсуждения
Полученные зависимости на рис. 4, 7 и 10 позволяют сделать следующее заключение: в случае с-GST (рис. 4а, 7а, 10а) пропускание выходного порта 2 близко к нулю, в случае a-GST (рис. 4b, 7b, 10b) пропускание выходного порта 2 имеет резонансный характер (так же как и в отсутствие слоя GST) и достигает значение нескольких десятков процентов. Это, по-видимому, связано с сильным поглощением в материале с-GST (см. рис. 4) и малым поглощением в a-GST.
Кроме того, получена зависимость от величины сегмента GST (рис. 5, 8, 11) – большая величина сегмента (угловая мера в градусах) обеспечивает лучшее пропускание (до 100% в случае полного сегмента в 360 градусов) для a-GST. По-видимому, это связано с рассеянием моды кольцевого микрорезонатора на сегменте из GST, наложенном сверху на резонатор, это рассеяние уменьшается в случае увеличения сегмента и полностью отсутствует в случае полного кольца, что обеспечивает полное пропускание (см. рис. 11). Таким образом, полное кольцо (сегмент 360 градусов) обеспечивает лучший контраст логического «0» и «1» на выходном порте 2.
Выводы
Новизной данной работы является выбор в качестве материала резонатора пленки Si3N4 в комбинации с пленкой из GST. Данный выбор обусловлен широким рабочим спектральным диапазоном длин волн, хорошими механическими свойствами Si3N4, низкими собственными потерями (менее 0,3 дБ / см) и отсутствием двухфотонного поглощения в телекоммуникационном диапазоне длин волн. Изменяя фазовое состояние пленки из GST, можно переключать сигнал выходного порта 2 (т. е. есть явно различимые логический «0» и логическая «1»). Увеличение пропускания выходного порта 2 при увеличении размера сегмента GST улучшает различимость логического «0» и логической «1».
Положительным свойством материала GST для использования в устройстве типа «ключ» является существенное поглощение для c-GST и практически полное отсутствие поглощения в a-GST. Это обеспечивает подавление резонанса в кольцевом микрорезонаторе в первом случае и присутствие резонансного режима во втором (практически, как и в микрорезонаторе без покрытия из GST). В первом случае это обеспечивает отсутствие пропускания, а во втором обеспечивает высокое пропускание. Переключение между состоянием GST осуществляется нагревом (лазер, электрический нагрев), является обратимым и стабильным во времени.
Таким образом, в результате моделирования установлено, что применение пленки GST над областью микрорезонатора из пленки Si3N4 позволяет реализовывать функции логических элементов.
Благодарности
Настоящая статья подготовлена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках выполнения НИР FNRM‑2022–0007.
REFERENCES
Kizhakkakath F., Ravindran S. Microring resonator based optical logic gates. ISSS Journal of Micro and Smart Systems. 2022;11(1): 295–316. https://doi.org/10.1007/s41683-022-00107-7.
Sakib M. et al. A high-speed micro-ring modulator for next generation energy-efficient optical networks beyond 100 Gbaud. CLEO: Science and Innovations. Optica Publishing Group. 2021. С. SF1C. 3. https://doi.org/10.1364/CLEO_SI.2021.SF1C.3.
Chen L. et al. Hybrid silicon and lithium niobate electro-optical ring modulator. Optica. 2014; 1(2): 112–118. https://doi.org/10.1364/OPTICA.1.000112.
Carvalho W. O. F., Mejía-Salazar J. R. Magneto-optical micro-ring resonators for dynamic tuning of add/drop channels in dense wavelength division multiplexing applications. Optics Letters. 2021; 46(10): 2396–2399. https://doi.org/10.1364/OL.425595.
Parra J. et al. Impact of GST thickness on GST-loaded silicon waveguides for optimal optical switching. Scientific Reports. 2022; 12 (1): 9774. https://doi.org/10.1038/s41598-022-13848-0.
Zheng J. et al. GST-on-silicon hybrid nanophotonic integrated circuits: a non-volatile quasi-continuously reprogrammable platform. Optical Materials Express. 2018; 8(6): 1551–1561. https://doi.org/10.1364/OME.8.001551.
X. Wang, M. Kuwahara, K. Awazu, P. Fons, J. Tominaga, Y. Ohki. Proposal of a grating-based optical reflection switch using phase change materials. Optics express. 2009; 17(19): 16947–16956. https://doi.org/10.1364/oe.17.016947.
Информация об авторах
А. С. Кадочкин – к. ф.‑ м. н., старший научный сотрудник отдела МСТ ФГБУН «НПК «Технологический центр», Москва, Зеленоград, Россия.
ORCID: 0000-0002-7960-1583
В. В. Амеличев – к. т. н., начальник отдела МСТ ФГБУН «НПК «Технологический центр», Москва, Зеленоград, Россия.
ORCID: 0000-0002-4204-2626
С. С. Генералов – начальник НИЛ НМЭМС отдела МСТ ФГБУН «НПК «Технологический центр», Москва, Зеленоград, Россия.
ORCID: 0000-0002-7455-7800
Д. В. Горелов – начальник НИЛ ИОМС отдела МСТ ФГБУН «НПК «Технологический центр», Москва, Зеленоград, Россия.
ORCID: 0000-0002-0887-9406
Вклад авторов
Статья подготовлена на основе работы всех членов авторского коллектива: А. С. Кадочкин – проведение расчетов, анализ собранных данных, обработка и обсуждение результатов; В. В. Амеличев – организация работы, обсуждение результатов; С. С. Генералов – организация работы, обсуждение результатов; Д. В. Горелов – поиск и перевод иностранных источников, обсуждение результатов.
Конфликт интересов
Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов. Все авторы приняли участие в написании рукописи в части вклада каждого из них в работу и согласны с полным текстом рукописи.
А. С. Кадочкин, В. В. Амеличев, С. С. Генералов, Д. В. Горелов НПК «Технологический центр», г. Зеленоград, г. Москва, Россия
Представлены результаты модельной экспериментальной оценки возможности управления с помощью внешнего термического воздействия интегрально-оптическим ключом, выполненным в виде кольцевого микрорезонатора с наложенным фазопеременным слоем Ge2Sb2Te5 (GST). Быстрый и обратимый фазовый переход между двумя состояниями – аморфным (a-GST) и кристаллическим (c-GST) – сопровождает большая разность показателей преломления, что может быть использовано в оптических схемах для реализации логических функций.
Ключевые слова: интегрально-оптический ключ, микрорезонатор, слой GST, логический элемент, оптический резонанс
Статья поступила: 04.10.2023
Статья принята: 31.10.2023
Введение
Одним из перспективных путей развития информационных технологий является применение оптических методов обработки информационных сигналов. Оптические методы обладают многочисленными преимуществами по сравнению с электронными: скорость распространения сигнала, возможность мультиплексирования и параллельной обработки информации. Для реализации оптоэлектронных устройств, предназначенных для обработки оптической информации, необходима разработка как пассивных элементов интегрально-оптических схем – волноводов, разветвителей, поляризационных фильтров, пассивных логических элементов, так и активных логических элементов, управляемых внешним воздействием – оптических ключей, являющихся оптическим аналогом транзисторов, работающих в режиме переключения сигналов.
В работе [1] предложены реализации таких устройств, использующих механизм инжекции носителей для переключения состояний в кольцевом резонаторе при помощи внешнего воздействия. Такое воздействие так или иначе основано на изменении эффективного показателя преломления моды, распространяющейся в резонаторе, и может быть осуществлено при помощи инжекции носителей заряда [2], электрооптического [3] или магнитооптического эффекта [4]. Имеется ряд работ [5], в которых предлагается использование так называемых «фазопеременных» (phase-changing) материалов.
В работе [6] для изменения эффективного показателя преломления моды кремниевого микрорезонатора предложено использование материала Ge2Sb2Te5 (GST), наложенного на участок кольцевого микрорезонатора, применяемый в виде тонких пленок GST в технологии оптической записи информации. Такое применение GST обусловлено возможностью протекания в данном материале сверхбыстрых обратимых фазовых превращений (<50 нс), которые происходят между аморфным (a-GST) и кристаллическим (c-GST) состояниями и сопровождаются существенным изменением оптических свойств и удельного электрического сопротивления [1]. Показатель преломления (n) и коэффициент экстинкции (k) являются одними из основных оптических характеристик любого материала. В тонких пленках GST значения этих коэффициентов для a-GST и c-GST сильно различаются (рис. 1).
Исследование оптического переключателя с GST покрытием
На рис. 2 показан общий вид исследованного элемента интегрально-оптической схемы типа «ключ» на основе кольцевого микрорезонатора с сформированным слоем GST. Вставка на рисунке показывает распределение TE0 моды в сечении волновода с наложенным слоем из с-GST и a-GST. В работе [6] сообщается об экспериментальной реализации управляемых кольцевых микрорезонаторов на основе кремния (Si). В отличие от работы [6] в работе [7] в качестве материала резонатора был выбран нитрид кремния (Si3N4).
На сегодняшний день существуют разные материалы для создания элементов интегральной фотоники, каждая из которых имеет свои плюсы и минусы, связанные с наличием или отсутствием необходимых характеристик, требуемых для решения конкретных задач. Выбор Si3N4 обусловлен широким рабочим спектральным диапазоном длин волн, хорошими механическими свойствами, низкими собственными потерями (менее 0,3 дБ/см), отсутствием двухфотонного поглощения в телекоммуникационном диапазоне длин волн, что позволяет достигать высокой плотности оптической мощности внутри волновода. На рис. 3 показана схема исследованного кольцевого микрорезонатора с наложенным сегментом GST 90 градусов. Элемент представляет собой кольцевой микрорезонатор из Si3N4, сформированный на подложке из оксида кремния (SiO2). Поверх кольцевого микрорезонатора наложен 90‑градусный сегмент из слоя GST (красный цвет), который может быть в а-GST или c-GST состоянии. При этом нагрев может осуществляться в зависимости от конструктивных требований, как при помощи внешнего оптического источника (импульсного лазера), так и при помощи расположенного сверху электрического нагревателя.
Возможность управления свойствами мод микрорезонатора основана на том, что при используемой толщине резонатора (d1 = 300 нм) и длине волны (1,55 мкм) распространяющаяся мода не может быть полностью локализована в сечении резонатора, значительная часть ее энергии локализована вне его сечения в виде эванесцентных (экспоненциально затухающих) «хвостов». Поэтому помещение в эту область слоя GST с оптическими свойствами, сильно отличающимися от оптических свойств волновода и окружающей его среды, приводит к изменению эффективного показателя преломления мод волновода. Следует также отметить, что с-GST обладает значительным поглощением, тогда как у a-GST поглощение на телекоммуникационной длине волны около 1,55 мкм близко к нулю (рис. 1). Таким образом, микрорезонатор с наложенным сегментом из a-GST (рис. 2) может поддерживать резонанс с высокой добротностью, а после переключения в с-GST эффективный показатель преломления моды приобретает значительную мнимую часть и резонанс подавляется. При этом существенно меняется сигнал на выходах микрорезонатора, что делает возможным использование такого устройства в качестве переключателя.
Геометрические параметры модели микрорезонатора представлены в таблице.
Проведено моделирование методом конечных временных разностей (FDTD) микрорезонатора из Si3N4 с управляющим элементом из GST. Параметры моделируемой структуры представлены в таблице. На рис. 4 и 5 приведены результаты моделирования. На рис. 4 показаны распределения напряженностей электрических полей |E| для TE0 моды в кольцевом микрорезонаторе. На рис. 5 приведена зависимость коэффициента отражения сигнала от кольцевого микрорезонатора (коэффициент пропускания T12) от длины волны.
Из рисунка 5 видно, что наибольшее значение коэффициента отражения от кольцевого микрорезонатора T12 в случае a-GST составляет 35%, тогда как отражение от кольцевого резонатора в случае c-GST стремится к нулю.
Оценка влияния размера наложенного сегмента GST
Аналогичные расчеты были проведены для сегментов GST 180 и 360 градусов (рис. 6–8 и 9–11).
Результаты и обсуждения
Полученные зависимости на рис. 4, 7 и 10 позволяют сделать следующее заключение: в случае с-GST (рис. 4а, 7а, 10а) пропускание выходного порта 2 близко к нулю, в случае a-GST (рис. 4b, 7b, 10b) пропускание выходного порта 2 имеет резонансный характер (так же как и в отсутствие слоя GST) и достигает значение нескольких десятков процентов. Это, по-видимому, связано с сильным поглощением в материале с-GST (см. рис. 4) и малым поглощением в a-GST.
Кроме того, получена зависимость от величины сегмента GST (рис. 5, 8, 11) – большая величина сегмента (угловая мера в градусах) обеспечивает лучшее пропускание (до 100% в случае полного сегмента в 360 градусов) для a-GST. По-видимому, это связано с рассеянием моды кольцевого микрорезонатора на сегменте из GST, наложенном сверху на резонатор, это рассеяние уменьшается в случае увеличения сегмента и полностью отсутствует в случае полного кольца, что обеспечивает полное пропускание (см. рис. 11). Таким образом, полное кольцо (сегмент 360 градусов) обеспечивает лучший контраст логического «0» и «1» на выходном порте 2.
Выводы
Новизной данной работы является выбор в качестве материала резонатора пленки Si3N4 в комбинации с пленкой из GST. Данный выбор обусловлен широким рабочим спектральным диапазоном длин волн, хорошими механическими свойствами Si3N4, низкими собственными потерями (менее 0,3 дБ / см) и отсутствием двухфотонного поглощения в телекоммуникационном диапазоне длин волн. Изменяя фазовое состояние пленки из GST, можно переключать сигнал выходного порта 2 (т. е. есть явно различимые логический «0» и логическая «1»). Увеличение пропускания выходного порта 2 при увеличении размера сегмента GST улучшает различимость логического «0» и логической «1».
Положительным свойством материала GST для использования в устройстве типа «ключ» является существенное поглощение для c-GST и практически полное отсутствие поглощения в a-GST. Это обеспечивает подавление резонанса в кольцевом микрорезонаторе в первом случае и присутствие резонансного режима во втором (практически, как и в микрорезонаторе без покрытия из GST). В первом случае это обеспечивает отсутствие пропускания, а во втором обеспечивает высокое пропускание. Переключение между состоянием GST осуществляется нагревом (лазер, электрический нагрев), является обратимым и стабильным во времени.
Таким образом, в результате моделирования установлено, что применение пленки GST над областью микрорезонатора из пленки Si3N4 позволяет реализовывать функции логических элементов.
Благодарности
Настоящая статья подготовлена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках выполнения НИР FNRM‑2022–0007.
REFERENCES
Kizhakkakath F., Ravindran S. Microring resonator based optical logic gates. ISSS Journal of Micro and Smart Systems. 2022;11(1): 295–316. https://doi.org/10.1007/s41683-022-00107-7.
Sakib M. et al. A high-speed micro-ring modulator for next generation energy-efficient optical networks beyond 100 Gbaud. CLEO: Science and Innovations. Optica Publishing Group. 2021. С. SF1C. 3. https://doi.org/10.1364/CLEO_SI.2021.SF1C.3.
Chen L. et al. Hybrid silicon and lithium niobate electro-optical ring modulator. Optica. 2014; 1(2): 112–118. https://doi.org/10.1364/OPTICA.1.000112.
Carvalho W. O. F., Mejía-Salazar J. R. Magneto-optical micro-ring resonators for dynamic tuning of add/drop channels in dense wavelength division multiplexing applications. Optics Letters. 2021; 46(10): 2396–2399. https://doi.org/10.1364/OL.425595.
Parra J. et al. Impact of GST thickness on GST-loaded silicon waveguides for optimal optical switching. Scientific Reports. 2022; 12 (1): 9774. https://doi.org/10.1038/s41598-022-13848-0.
Zheng J. et al. GST-on-silicon hybrid nanophotonic integrated circuits: a non-volatile quasi-continuously reprogrammable platform. Optical Materials Express. 2018; 8(6): 1551–1561. https://doi.org/10.1364/OME.8.001551.
X. Wang, M. Kuwahara, K. Awazu, P. Fons, J. Tominaga, Y. Ohki. Proposal of a grating-based optical reflection switch using phase change materials. Optics express. 2009; 17(19): 16947–16956. https://doi.org/10.1364/oe.17.016947.
Информация об авторах
А. С. Кадочкин – к. ф.‑ м. н., старший научный сотрудник отдела МСТ ФГБУН «НПК «Технологический центр», Москва, Зеленоград, Россия.
ORCID: 0000-0002-7960-1583
В. В. Амеличев – к. т. н., начальник отдела МСТ ФГБУН «НПК «Технологический центр», Москва, Зеленоград, Россия.
ORCID: 0000-0002-4204-2626
С. С. Генералов – начальник НИЛ НМЭМС отдела МСТ ФГБУН «НПК «Технологический центр», Москва, Зеленоград, Россия.
ORCID: 0000-0002-7455-7800
Д. В. Горелов – начальник НИЛ ИОМС отдела МСТ ФГБУН «НПК «Технологический центр», Москва, Зеленоград, Россия.
ORCID: 0000-0002-0887-9406
Вклад авторов
Статья подготовлена на основе работы всех членов авторского коллектива: А. С. Кадочкин – проведение расчетов, анализ собранных данных, обработка и обсуждение результатов; В. В. Амеличев – организация работы, обсуждение результатов; С. С. Генералов – организация работы, обсуждение результатов; Д. В. Горелов – поиск и перевод иностранных источников, обсуждение результатов.
Конфликт интересов
Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов. Все авторы приняли участие в написании рукописи в части вклада каждого из них в работу и согласны с полным текстом рукописи.
Отзывы читателей
