eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Business People
Деловые люди
С. Болт, Н. Буров
Мы приносим новые технологии DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.466.475
Мы приносим новые технологии DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.466.475
Conferences, exhibition & seminars
Конференции, выставки, семинары
N. L. Istomina, L. V. Kariakina
Lasys-2018: laser technologies for processing of materials The LASYS exhibition is primarily aimed at German companies, but a panorama of a various laser applications opens up to foreign developers.
Lasys-2018: laser technologies for processing of materials The LASYS exhibition is primarily aimed at German companies, but a panorama of a various laser applications opens up to foreign developers.
Н. Л. Истомина,Л. В. Карякина
Lasys-2018: лазерные технологии обработки материалов Выставка LASYS в первую очередь обращена к немецким компаниям, но зарубежным разработчикам открывается панорама многообразных применений лазера.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.476.479
Lasys-2018: лазерные технологии обработки материалов Выставка LASYS в первую очередь обращена к немецким компаниям, но зарубежным разработчикам открывается панорама многообразных применений лазера.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.476.479
Lasers & Laser Systems
Лазеры и лазерные системы
A. M. Grigoriev
Laser recrystallization of the silicon surface layer after the operation of ion implantation An installation for effective recrystallization of the damaged surface layer of a silicon wafer after ion implantation for a semiconductor industry has been developed. The installation realizes the technology of laser annealing of a surface layer 1 μm thick of silicon wafers with a diameter up to 200 mm. This is used during manufacturing process of high-current IGBT transistors.
Laser recrystallization of the silicon surface layer after the operation of ion implantation An installation for effective recrystallization of the damaged surface layer of a silicon wafer after ion implantation for a semiconductor industry has been developed. The installation realizes the technology of laser annealing of a surface layer 1 μm thick of silicon wafers with a diameter up to 200 mm. This is used during manufacturing process of high-current IGBT transistors.
А. М. Григорьев
Лазерная рекристаллизация приповерхностного слоя кремния после операции ионной имплантации Разработана установка для эффективной рекристаллизации нарушенного слоя поверхности кремниевой пластины после ионной имплантации для полупроводниковой индустрии. Установка реализует технологию лазерного отжига поверхностного слоя толщиной 1 мкм кремниевых пластин диаметром до 200 мм и применяется в технологическом процессе изготовления сильноточных IGBT-транзисторов.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.498.500
Лазерная рекристаллизация приповерхностного слоя кремния после операции ионной имплантации Разработана установка для эффективной рекристаллизации нарушенного слоя поверхности кремниевой пластины после ионной имплантации для полупроводниковой индустрии. Установка реализует технологию лазерного отжига поверхностного слоя толщиной 1 мкм кремниевых пластин диаметром до 200 мм и применяется в технологическом процессе изготовления сильноточных IGBT-транзисторов.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.498.500
Теги: igbt transistors igbt-транзисторы laser annealing semiconductor industry лазерный отжиг полупроводниковая индустрия
J. N. Tan, B. Stein, B. Sprenger, B. Hacker, Th. Schumm
Femtosecond fiber lasers for various aspects of quantum technologies In addition to using a femtosecond laser in medicine and industry, there also a lot of scientific fields that can be explored with ultrafast-light technologies. In this small review some aspects of quantum technologies studied with femtosecond lasers are discussed.
Femtosecond fiber lasers for various aspects of quantum technologies In addition to using a femtosecond laser in medicine and industry, there also a lot of scientific fields that can be explored with ultrafast-light technologies. In this small review some aspects of quantum technologies studied with femtosecond lasers are discussed.
Дж. Н. Тан, Б. Стайн, Б. Спренджер, Б. Хакер, Т. Шумм
Фемтосекундные волоконные лазеры для различных аспектов квантовых технологий Кроме использования фемтосекундного лазера в медицине и промышленности, существует много научных областей, которые могут быть исследованы при помощи технологий сверхбыстрых световых импульсов. В кратком анализе обсуждаются некоторые аспекты квантовых технологий, исследованные с помощью фемтосекундных лазеров.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.502.507
Фемтосекундные волоконные лазеры для различных аспектов квантовых технологий Кроме использования фемтосекундного лазера в медицине и промышленности, существует много научных областей, которые могут быть исследованы при помощи технологий сверхбыстрых световых импульсов. В кратком анализе обсуждаются некоторые аспекты квантовых технологий, исследованные с помощью фемтосекундных лазеров.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.502.507
Metatronics
Метатроника
A. B. Shvartsburg
Sew scenarios: a new wave The traditional physical model describing the propagation of surface electromagnetic waves (SEW) is based on the concept of a "sharp boundary" separating two homogeneous media; However the boundary between the air and the gradient dielectric without free carriers is shown to support the propagation of a new type of SEW. Spectrum of this new SEW and the spatial distribution of its electric field in the depth of transition layer of gradient dielectric are considered.
Sew scenarios: a new wave The traditional physical model describing the propagation of surface electromagnetic waves (SEW) is based on the concept of a "sharp boundary" separating two homogeneous media; However the boundary between the air and the gradient dielectric without free carriers is shown to support the propagation of a new type of SEW. Spectrum of this new SEW and the spatial distribution of its electric field in the depth of transition layer of gradient dielectric are considered.
А. Б. Шварцбург
Сценарии поверхностных электромагнитных волн: новая волна В основе традиционной физической модели описания распространения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) лежит модель "резкой границы". Однако в случае распространения ПЭВ вдоль границы раздела "воздух – градиентный диэлектрик" возникает новая волна. Обсуждается спектр новой поверхностной волны и распределение электрического поля в глубине градиентного диэлектрика.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.522.529
Сценарии поверхностных электромагнитных волн: новая волна В основе традиционной физической модели описания распространения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) лежит модель "резкой границы". Однако в случае распространения ПЭВ вдоль границы раздела "воздух – градиентный диэлектрик" возникает новая волна. Обсуждается спектр новой поверхностной волны и распределение электрического поля в глубине градиентного диэлектрика.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.522.529
Теги: gradient dielectric surface electromagnetic waves (sew) градиентный диэлектрик поверхностные электромагнитные волны (пэв)
Laser Medicine
Лазерная медицина
I. A. Raznitsyna, P. A. Kulikova, A. A. Glazkov, D. A. Rogatkin
Laser nondestructive technologies for verification of organs and tissues in low-invasive and robot-assisted surgery The need to develop methods for organs and tissues differentiation in surgery is discussed. A multifactor analysis of fluorescence and backscattering spectra was carried out for different tissues. Eight out of eleven types of tissues were verified with the accuracy of the order of 80%. The obtained results allow us to assume that optical technologies could form the basis for the method of navigation in robot-assisted and low-invasive surgery in the future.
Laser nondestructive technologies for verification of organs and tissues in low-invasive and robot-assisted surgery The need to develop methods for organs and tissues differentiation in surgery is discussed. A multifactor analysis of fluorescence and backscattering spectra was carried out for different tissues. Eight out of eleven types of tissues were verified with the accuracy of the order of 80%. The obtained results allow us to assume that optical technologies could form the basis for the method of navigation in robot-assisted and low-invasive surgery in the future.
И. А. Разницына, П. А. Куликова, А. А. Глазков, Д. А. Рогаткин
Лазерные неповреждающие технологии для верификации органов и тканей в малоинвазивной и робот-ассистированной хирургии Обсуждается необходимость развития методов, позволяющих дифференцировать органы и типы тканей в хирургии. Проведен многофакторный анализ спектров флюоресценции и обратного рассеяния различных биотканей. Восемь из выделенных 11 типов тканей удалось определить с точностью более 80%. Полученные результаты позволяют полагать, что в будущем оптические технологии смогут лечь в основу навигации в робот-ассистированной и малоинвазивной хирургии.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.530.536
Лазерные неповреждающие технологии для верификации органов и тканей в малоинвазивной и робот-ассистированной хирургии Обсуждается необходимость развития методов, позволяющих дифференцировать органы и типы тканей в хирургии. Проведен многофакторный анализ спектров флюоресценции и обратного рассеяния различных биотканей. Восемь из выделенных 11 типов тканей удалось определить с точностью более 80%. Полученные результаты позволяют полагать, что в будущем оптические технологии смогут лечь в основу навигации в робот-ассистированной и малоинвазивной хирургии.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.530.536
Теги: backscattered spectroscopy laser fluorescence spectroscopy optical technologies surgical navigation technology лазерная флюоресцентная спектроскопия оптические технологии спектроскопия обратного рассеяния хирургическая навигация
Optoelectronic Devices
Оптоэлектронные приборы
A. A. Gasanov, A. V. Naumov, M. S. Kouznetsov
Domestic crystals manufacturing for devices used in photonics (part 2 – semicoductor ionizing radiation detectors) Continuation of the review about the current state of development and production of single crystals for nuclear medicine devices in Russia is presented in the article.
Domestic crystals manufacturing for devices used in photonics (part 2 – semicoductor ionizing radiation detectors) Continuation of the review about the current state of development and production of single crystals for nuclear medicine devices in Russia is presented in the article.
А. А. Гасанов, М. С. Кузнецов, А. В. Наумов
Получение отечественных кристаллов для приборов фотоники. Часть 2: полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений Продолжение обзора современного состояния разработок и производства монокристаллов для приборов ядерной медицины в России
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.514.519
Получение отечественных кристаллов для приборов фотоники. Часть 2: полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений Продолжение обзора современного состояния разработок и производства монокристаллов для приборов ядерной медицины в России
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.514.519
Теги: crystals of zinc-cadmium telluride high purity positron emission tomograph thallium bromide бромид таллия высокая чистота кристаллы теллурида цинка-кадмия позитронно-эмиссионный томограф
Optoelectronic devices
Оптоэлектронные приборы
N. V. Latukhina, D. A. Lizunkova, G. A. Rogozhina, I. M. Zhiltsov, M. V. Stepykhova, V. I. Chepurnov
Multilayer nanostructures based on porous silicon for optoelectronics Experimental evaluation of the ability to use structures based on porous silicon for solar cells and LEDs is performed. Spectral characteristics of photosensitivity of the structures with an upper layer of porous silicon and porous silicon carbide (nSiC / p-porSi heterostructures) are studied, as well as photoluminescence spectra of structures with porous silicon doped with erbium (porSi: Er structures).
Multilayer nanostructures based on porous silicon for optoelectronics Experimental evaluation of the ability to use structures based on porous silicon for solar cells and LEDs is performed. Spectral characteristics of photosensitivity of the structures with an upper layer of porous silicon and porous silicon carbide (nSiC / p-porSi heterostructures) are studied, as well as photoluminescence spectra of structures with porous silicon doped with erbium (porSi: Er structures).
Н. В. Латухина, Д. А. Лизункова, Г. А. Рогожина, И. М. Жильцов, М. В. Степихова, В. И. Чепурнов
Многослойные наноструктуры на базе пористого кремния для оптоэлектроники Проведена экспериментальная оценка возможности использовать структуры на основе пористого кремния для фотопреобразователей и светодиодов. Исследованы спектральные характеристики фоточувствительности структур с верхним слоем из пористого кремния и пористого карбида кремния (гетероструктуры nSiC / p-porSi), а также спектры фотолюминесценции структур с пористым кремнием, легированным эрбием (структуры porSi : Er).
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.508.513
Многослойные наноструктуры на базе пористого кремния для оптоэлектроники Проведена экспериментальная оценка возможности использовать структуры на основе пористого кремния для фотопреобразователей и светодиодов. Исследованы спектральные характеристики фоточувствительности структур с верхним слоем из пористого кремния и пористого карбида кремния (гетероструктуры nSiC / p-porSi), а также спектры фотолюминесценции структур с пористым кремнием, легированным эрбием (структуры porSi : Er).
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.508.513
Теги: luminescent structures nanocrystals photoconverters porous silicon solar cells. люминесцентные структуры нанокристаллы пористый кремний солнечные элементы фотопреобразователи
Processing technology & instrumentation
Технология обработки и оборудование
V. P. Biryukov
Determination of the influence of laser cladding modes and composition of powder material on coating wear resistance Laser cladding of metal-ceramic powders on large-sized products gives their surfaces new antifriction properties. The limiting values of the laser energy density are determined at which the alloying elements burn out and the wear resistance begins to decrease. A technique of estimating the wear resistance coefficient is developed based on sclerometric method.
Determination of the influence of laser cladding modes and composition of powder material on coating wear resistance Laser cladding of metal-ceramic powders on large-sized products gives their surfaces new antifriction properties. The limiting values of the laser energy density are determined at which the alloying elements burn out and the wear resistance begins to decrease. A technique of estimating the wear resistance coefficient is developed based on sclerometric method.
В. П. Бирюков
Определение влияния режимов лазерной наплавки и состава порошкового материала на износостойкость покрытий Лазерная наплавка металлокерамических порошков на крупногабаритные изделия придает их поверхностям новые антифрикционные свойства. Определены предельные значения плотности лазерной энергии, при которых происходит выгорание легирующих элементов и начинается снижение износостойкости. Разработана методика оценки коэффициента износостойкости на базе метода склерометрирования.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.486.494
Определение влияния режимов лазерной наплавки и состава порошкового материала на износостойкость покрытий Лазерная наплавка металлокерамических порошков на крупногабаритные изделия придает их поверхностям новые антифрикционные свойства. Определены предельные значения плотности лазерной энергии, при которых происходит выгорание легирующих элементов и начинается снижение износостойкости. Разработана методика оценки коэффициента износостойкости на базе метода склерометрирования.
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.486.494